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VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example:
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(1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处的电场强度的方向都与导体表面垂直导体表面是等势面
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一、故障 1、油箱内部故障:绕组相间短路、单相匝间短路、单相接地短路等。 2、油箱外部故障:绝缘套管及引出线上的多相短路、单相接地短路等
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(1) Hole particle current from E to B (2)Electron particle current from B to E (3)Recombination current in B (4) Hole particle current originating in E and reaching C (5)Reverse electron particle current from c to B (6) Reverse hole particle current from b to c (What is difference between \current\ and\particle current ? OE F Schubert, Rensselaer Polytechnic Institute, 2003
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步骤: (1)对激励源进行付氏分解,取几项看精度 (2)分别求出恒定分量(直流)、基波、谐波 作用下的响应。 直流作用时:0开路、L短路 基波、谐波作用时:采用相量法 (3)用叠加定理求响应。瞬时叠加
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已知发电机的端电压、负载电流和功率因数及参数ra 、xd、xq 。 1、已知内功率因数角ψ 按照电势方程式的关系作出相量图 2、未知内功率因数角ψ
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11-1 基本概念 11-2 氧化还原方程式的配平 11-3 电极电势 11-4 元素电势图及其应用 11-5 电解 11-5 化学电源简介
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5-1概述 5-2变容二级管的直接调频 5-3变容二级管的间接调频电路 5-4扩大频偏的方法 5-5调频波的解调(鉴频)
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2.2.1 近似分析方法 2.2.2 欠压、临界和过压状态 2.2.3 四个电压量对性能影响的定性讨论
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本书由三大部分构成。第1、2章是纳米技术的基本情况;第3~7章主要是纳米电、磁、光功能材料及其在电子元器件中的应用;8~10章则主要是纳米电子学的基本知识。三个部分有一定的独立性联结起来又成一体。可供电子科学技术、材料、物理、化工、冶金等学科和相关技术人员使用
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