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为从力学本质上揭示SI-FLAT非接触式板形仪的检测原理,基于薄板流固耦合振动理论,建立了薄板振幅与残余应力关系的数学模型.在非协调Föppl-von Kármán方程组的平衡方程中引入惯性项与流体压强项,利用气动载荷在时间上的周期性将流体速度函数、流体压强函数、薄板挠度函数和薄板应力势函数的时间变量分离出来,得到描述SI-FLAT板形仪稳定工作状态的偏微分方程组.进一步利用分离变量法求解该方程组,最终建立起薄板振幅与残余应力的数学关系.同时结合实测残余应力数据,利用Siemens提出的振幅-残余应力模型反算得到实际薄板振幅分布,并将其与流固耦合振动模型计算的振幅进行对比,验证了提出的数学模型的可靠性.进一步利用流固耦合振动模型分析了气泵进风口流体速度、检测距离和激振频率对振幅的影响,为SI-FLAT板形仪科学合理的利用提供了理论依据
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本课程的主要任务是研究化工单元操作及反应过程的基本原理、典型设备的构造及工艺尺寸的计算,通过本课程的学习,使学生理解化学工程规律在化工生产中的应用,获得化工计算及设计的基础训练,培养学生分析和解决有关化工操作中各种问题的能力,以便在化工生产、科研和设计工作中达到强化生产过程、提高产品质量、提高设备生产能力和效率、降低设备投资及产品成本、节能、防止污染及加速新技术开发等方面的目的。 教学要点: 化学工程的主要内容是传递过程和化学反应过程,传递过程包括动量传递、 热量传递和质量传递三种过程。 1.动量传递——流体动力过程 2.热量传递 3.质量传递 4.学反应工程——反应器基本原理
文档格式:PDF 文档大小:2.8MB 文档页数:5
为了保证浓密机在高料位下不压耙,一般通过增设循环系统使料浆始终处于活化状态,降低耙架运行阻力.然而,目前循环参数对底流的影响规律不明确,造成系统的设计及应用缺乏科学依据,为此开展了循环参数对底流的调控研究.分析循环系统的作用原理,将循环系统作用范围划分为两大区域,揭示循环参数对底流的调控机制,运用微积分原理对区域内的底流体积分数变化进行求解,最终建立浓密机底流调控数学模型.最后,利用该模型对底流循环实验参数进行验证.研究结果表明:开启底流循环后,底流体积分数开始降低并最终趋于稳定,底流体积分数差随着循环流量及循环高度增大而增大,体积分数变化幅度为0.7%~2.2%,稳定所需时间随流量及高度增加而减小.该理论模型完全吻合验证结果函数,为循环系统的设计及运行提供理论依据
文档格式:DOC 文档大小:8.81MB 文档页数:133
实施科教兴国战略和可持续发展战略,迎接知识经济时代的到来,建设面向知识经济时代的国家创新体系,要求造就一支庞大的高素质的创造性人才队伍。因此,作为高级人才的培养基地,高等院校应当把创造力的教育和培养贯穿于各门课程教学及实践性教学环节中。实践性教学环节相对于课堂理论教学环节,更能贯穿对学生创造力的开发,其教学内容、方法、手段如何能适应创造性人才的培养要求尤为重要。传统的大学实验教学,其内容是以验证前人知识为主的验证型实验,其方法是教师手把手地教,这些都不利于培养学生的主动性和创造性。当今,大学实验教学改革中,普遍开设综合型、设计型、研究型实验,是对学生进行创造教育的重要思路和做法。在“211工程”重点建设的大学必须通过的本科教学评优工作指标中就明确要求综合型、设计型、研究型实验应占70%以上
文档格式:PDF 文档大小:485.65KB 文档页数:5
通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体
文档格式:PDF 文档大小:1.34MB 文档页数:11
螺纹插装式溢流阀阀套精加工采用碳氮共渗后磨削的制造工艺,内锥面的形位误差会影响溢流阀的使用寿命和静动态特性,制造过程需要精准控制内锥面的误差。通过对工艺分析建立制造误差模型并应用研究,由此获得内锥面自身角度的合理误差范围,以及内锥角误差与磨削量之间的变化关系。根据阀套结构特点设计专用的检测装置,并对检测原理和测量误差进行分析,通过误差校对提高检测精度。对热处理后的阀套进行轴向尺寸分组,并采用基准统一原则,保证磨削制造精度的稳定性。根据检测原理和误差模型对试磨件进行误差计算,并据此调整磨削参数,使制造误差合格;后续制造时采用检测装置快速测量阀套的密封圆轴向尺寸,使制造误差均落在控制范围内,保证批量生产的可控性。研究表明,基于某型溢流阀的设计及工艺参数,内锥面自身角度的实际制造误差控制以±0.8°为宜,对应的密封圆轴向最大磨削公差为0.186 mm、修正后的最小磨削公差为0.075 mm;实验验证了误差模型的准确性,所述检测方法的角度测量误差为0.06°、密封圆轴向尺寸测量误差为2 μm,因角度测量误差带来的最大、最小磨削量范围偏差可通过内锥角实际制造误差的收缩进行补偿;所研究的理论与方法也为其他内锥面的制造控制及逆向工程提供了系统的方法
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选取层理面与轴向夹角θ为0°、30°、45°、60°和90°的无烟煤样,采用CHI660E型电化学工作站,在0~95℃温度下测试煤样的I-V曲线,提出串并联主导程度概念,采用最小势能原理和电荷极化原理,分析和研究不同温度下层理结构对电阻率的影响机理及规律.结果表明:无烟煤电阻率随温度升高呈现较强的规律性,当θ为0°时在55℃时出现拐点,其余均在35℃时出现拐点;串并联主导程度解释了层理结构对电阻率的影响机理,由关键层理面的数量和开始通过时间来决定;无烟煤电阻率受层理结构影响显著,随θ增大呈现递增规律;无烟煤各向异性系数随温度升高而增大,在35~65℃范围内,增大近2倍
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1.《自动控制理论》课程教学大纲 2.《单片机原理及应用》课程教学大纲 3.《现代控制理论》课程教学大纲 4.《电机及电力拖动》课程教学大纲 5.《检测技术与仪表》课程教学大纲 6.《电力电子技术课程设计》教学大纲 7.《运动控制系统》课程教学大纲 8.《过程控制系统》课程教学大纲 9.《计算机控制系统》课程教学大纲 10.《专业英语》课程教学大纲 11.《PLC 原理及应用》课程教学大纲 12.《嵌入式系统》课程教学大纲 13.《EDA技术及应用》课程教学大纲 14.《C 语言案例设计》课程教学大纲 15.《现场总线技术》课程教学大纲 16.《机器人学基础》课程教学大纲 17.《高级语言程序设计》课程教学大纲 18.《控制系统辅助仿真设计》课程教学大纲 19.《工业计算机通信与网络》课程教学大纲 20.《PLC 课程设计》教学大纲 21.《电力电子技术课程设计》教学大纲 22.《数字图像处理》课程教学大纲 23.《数据结构与算法》课程教学大纲 24.《复变函数与积分变换》课程教学大纲 25.《信号与系统》课程教学大纲 26.《模式识别与人工智能》课程教学大纲 27.《工程电磁场》课程教学大纲 28.《集散控制系统》课程教学大纲 29.《控制电机》课程教学大纲 30.《信号与系统》课程教学大纲 31.《智能控制技术》课程教学大纲 32.《文献检索与科学研究》课程教学大纲 33.《虚拟仪器》课程教学大纲 34.《计算机控制系统课程设计》教学大纲 35. 《智能控制技术课程设计》教学大纲
文档格式:PDF 文档大小:2.16MB 文档页数:149
《高等数学 E》教学大纲 《工程制图 1》教学大纲 《工程制图 2》教学大纲 《电工与电子技术》教学大纲 《工程数学 E》教学大纲 《理论力学》教学大纲 《材料力学》教学大纲 《机械工程材料》教学大纲 《计算机辅助设计》教学大纲 《机械设计基础 1》教学大纲 《机械设计基础 2》教学大纲 《机床电气控制与 PLC》教学大纲 《互换性与测量技术》教学大纲 《制造技术基础》教学大纲 《液压与气压传动》教学大纲 《弹性有限元技术与应用》教学大纲 《专业认识教育》教学大纲 《金工实习》教学大纲 《机械原理课程设计》教学大纲 《机械测绘》教学大纲 《电气控制综合实训》教学大纲 《机械零件课程设计》教学大纲 《机械设计综合训练》教学大纲 《机械制造综合训练》教学大纲 《微机原理及应用》教学大纲 《机电行业产业调研》教学大纲 《机械创新设计》教学大纲 《生产实习》教学大纲 《毕业实习》教学大纲 《毕业设计(论文)及答辩》教学大纲 《制造装备概论》教学大纲 《数控编程与加工技术》教学大纲 《计算机辅助制造》教学大纲 《先进制造技术》教学大纲 《制造工艺课程设计》教学大纲 《数控编程与加工实训》教学大纲 《专用装备设计》教学大纲 《数控技术与装备》教学大纲 《模具设计》教学大纲 《自动化生产线》教学大纲 《制造装备课程设计》教学大纲 《模具设计与加工实训》教学大纲
文档格式:PDF 文档大小:650.52KB 文档页数:8
采用同时平衡和质量守恒原理对全液相常温常压法制备CuInSe2(CIS)粉体过程中Cu+-In3+-Se2--NH3-L2--Cl--H2O体系的热力学平衡进行分析,并绘制一系列的浓度对数lgc-pH值曲线.依据平衡图,发现溶液中[NH3]T的变化主要影响溶液中[Cu+]T在体系中的浓度变化,[L2-]T的变化主要影响的是体系中[In3+]T的浓度变化,而[Cl-]T的变化对[Cu+]T和[In3+]T的浓度变化均有影响,并可发现在pH7.0~8.5时沉淀率最高.依据Cu+-In3+-Se2--NH3-L2--Cl--H2O体系的同时平衡和质量守恒原理,采用全液相常温常压法,在pH7.0~8.5条件下制备出粒径在20~50nm且基本符合标准化学计量比的CIS纳米粉体
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