基于热动力学理论,通过对演化方程的线性稳定分析,确定了1-3型BaTiO3-CoFe2O4(BTO-CFO)多重铁性复合材料中的铁电、铁磁相变温度.考虑系统中基底与薄膜之间及薄膜内铁电相、铁磁相之间的内应力和外应力的弹性耦合,确立了顺电到铁电/铁磁地相变临界温度地解析式.临界温度与两相体积分数、基底、薄膜的晶格尺寸、薄膜两相的材料性能及薄膜厚度都有很大关系.两相的相变临界温度可以通过调节体积分数及薄膜厚度进行控制

第一节 绪论 第二节 氧化还原反应 一、电极电位 二、条件电位及影响因素 三、氧化还原反应进行的程度 四、氧化还原反应的速度 第三节 氧化还原滴定 一、滴定曲线 二、指示剂 三、氧化还原预处理 第三节 氧化还原滴定法的应用 一、碘量法 二、KMnO4法 三、K2Cr2O7法 四、其他氧化还原方法

8.3.1 机理 8.3.2 聚苯乙烯薄膜湿敏元件 8.3.3 醋酸纤维有机膜湿敏元件

8.2.1 聚苯乙烯磺酸锂湿敏元件 8.2.2 聚苯乙烯磺酸铵湿敏元件 8.2.3 有机季铵盐高分子电解质湿敏元件 8.2.4 胀缩性有机物湿敏元件

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

一、电场线 电场线： 1、曲线上每一点的切线方向表示该点电场强度E的方向。描述电场分布情况的曲线。 2、曲线的疏密表示该点处场强E的大小。即：垂直通过单位面积的电场线条数，在数值上就等于该点处电场强度的大小

教学目标： （1）掌握电容器的识别与检测的方法； （2）掌握电阻器与电位器的识别与检测的方法； （3）掌握电感器与变压器的识别与检测的方法； （4）了解继电器的识别与检测的方法； （5）掌握晶体二极管的识别与检测的方法； （6）了解晶体三极管的识别与检测的方法。 教学内容： 任务1、电容器识别与检测 任务2、电阻器与电位器的识别与检测 任务3、电感器与变压器的识别与检测 任务4、晶体二极管的识别与检测 任务5、晶体三极管的识别与检测

物理常数:光速:c=2.998×108ms-1:普朗克常数:h=6626×103J·s;玻尔兹曼 常数:k2=1.381×10-23J/K:电子质量:m2=9.109×10-kg:碳原子质量 m=12u=2007×10-°kg;电子电荷:e=1.602×10C 1)物质波(30分):1924年,德布洛意提出物质波概念,认为任何实物粒子,如电子 质子等,也具有波动性,对于具有一定动量p的自由粒子,满足德布洛意关系