1、实验准备及常规仪器设备使用 2、分立元件及负反馈放大电路设计 3、运放基本应用电路 4、测量放大器 5、晶体管输出特性曲线测试电路 6、LC三点式振荡器 7、模拟乘法器及调幅与检波电路

用一种新的擦伤电极装置来研究化学镀Ni-P合金在3.5%NaCl溶液中的再钝化行为。结果表明,Ni-P合金的再钝化动力学服从i(t)=A1exp(-C1t)+A2exp(-C2t)方程。在低电位区,Ni迅速氧化,并在表面形成稳定的氧化物NiOOH。氧化膜的生长服从高场离子传导机制;在高电位区,吸附过程迅速发生,界面上的单分子吸附膜使裸体表面电流很快衰减,吸附的H2PO2-有效地阻止了Ni位上的溶解

4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好

基于热动力学理论,通过对演化方程的线性稳定分析,确定了1-3型BaTiO3-CoFe2O4(BTO-CFO)多重铁性复合材料中的铁电、铁磁相变温度.考虑系统中基底与薄膜之间及薄膜内铁电相、铁磁相之间的内应力和外应力的弹性耦合,确立了顺电到铁电/铁磁地相变临界温度地解析式.临界温度与两相体积分数、基底、薄膜的晶格尺寸、薄膜两相的材料性能及薄膜厚度都有很大关系.两相的相变临界温度可以通过调节体积分数及薄膜厚度进行控制

8.3.1 机理 8.3.2 聚苯乙烯薄膜湿敏元件 8.3.3 醋酸纤维有机膜湿敏元件

8.2.1 聚苯乙烯磺酸锂湿敏元件 8.2.2 聚苯乙烯磺酸铵湿敏元件 8.2.3 有机季铵盐高分子电解质湿敏元件 8.2.4 胀缩性有机物湿敏元件

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

以型号为Kynar2801的PVDF-HFP (偏氟乙烯-六氟丙稀共聚物)为基质,制备了掺杂微米TiO2粉体的聚合物锂离子电池用多孔电解质隔膜,并采用SEM、XRD、交流阻抗法以及充放电测试等测试手段研究分析该电解质膜的物理及电化学性能.实验结果表明:掺入质量分数6.5%的微米TiO2聚合物电解质膜的室温离子电导率为1.66×10-3S·cm-1,拉伸强度为2.78MPa;在以掺杂电解质膜为隔膜的锂离子电池中,分别以28,70,140,280mA·g-1的电流密度放电时,正极材料LiCoO2的放电容量分别为140.6,127.48,120.25,99.17mAh·g-1

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管