SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

第三节全微分及其应用 1.全微分的概念、计算、充要条件及应用

电枢反应电枢磁通势的基波在气隙中使气隙磁通的大小及位置均发生变化这种影响称为电枢反应

§10.1 氧化还原反应 §10.2 原电池和电动势 §10.3 可逆电池热力学 §10.4 电动势产生的原因 §10.5 电极电势 §10.6 电极电势的应用 §10.7 浓差电池 §10.8 电池电动势测定的应用

§11.1 化学反应速率及其机理 §11.2 浓度对反应速率的影响 §11.3 速率方程的微积分形式及其特征 §11.4 温度对反应速率的影响 §11.5 化学反应速率理论 §11.7 催化反应

西安石油大学：《过程设备设计基础 Basic Theory and Design of Process Equipments》课程教学资源（电子课件）第二章 压力容器应力分析 第二节 厚壁圆筒应力分析 2.2.2弹塑性应力 2.2.3屈服压力和爆破压力 2.2.4提高屈服承载能力的措施

西安石油大学：《过程设备设计基础 Basic Theory and Design of Process Equipments》课程教学资源（电子课件）第二章 压力容器应力分析 第二节 厚壁圆筒应力分析 2.2.1 弹性应力

本讲重点: 正确认识系统设计的基本原则,掌握简单任 务分析的一般流程,尝试自己制定方案; 对所举应用实例能消化理解,对部分模块能 独立编程实现

主要内容 一、工程中承受切应力的构件 二、扭转内力—扭矩 三、扭转切应力分析与计算

讲解内容： 1. 图像变换的目的、要求和应用 2. 傅立叶级数、 频谱分析概念及其意义 3.一维、二维连续、离散傅立叶变换定义、性质及其应用 目的： 1. 熟悉二维傅立叶变换定义、性质及其应用； 2. 掌握一维傅立叶变换算法及频谱分析方法