(一)主要原因 (1)电力系统发生不对称短路故障。 (2)输电线路或其他电气设备一次回路断线 (3)并、解列操作后,断路器个别相未合上或未拉开。 (二)分析方法:对称分量法

大多数的伪随机数变量并不满足[0,1]区间的均匀分布, 而是具有各种不同形式的分布密度函数。 对一个具有分布密度函数f(x)的伪随机变量的抽样是通 过以下步骤来进行的:首先在[0,1]区间抽取均匀分布的伪随 机数列,然后再从这个伪随机数列中抽取一个简单子样,使这 个简单子样的分布满足分布密度函数f(x),并且各个伪随机数 相互独立

判断改错题(判断下列命题的正确性,并对错误命题说明理由,正确命题不加说明。(10分) 1.一个作业由若干作业步组成,在多道程序系统中这些作业步可以并发执行 2.多道程序的引入主要是为了提高CP的利用率 3.不同进程所包含的程序必定相同

本文利用精确测量坩埚型电导池的尺寸以及不同插入深度的电阻值,并根据下列公式:\\[\\begin{array}{l}\\sigma = \\frac{1}{{2\\pi \\Delta {\\rm{h}}}}{\\rm{(}}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{2}}}}}{\\rm{ - }}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{1}}}}}{\\rm{)ln(}}\\frac{{{{\\rm{D}}_{\\rm{2}}}{\\rm{ - m}}}}{{{{\\rm{D}}_{\\rm{1}}}{\\rm{ - m}}}}{\\rm{ \\bullet }}\\frac{{{{\\rm{r}}_{\\rm{1}}}}}{{{{\\rm{r}}_{\\rm{2}}}}}{\\rm{)}}\\\\{\\rm{或}}\\\\\\sigma = \\frac{{{{\\rm{K}}^*}}}{{\\Delta {\\rm{h}}}}{\\rm{(}}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{2}}}}}{\\rm{ - }}\\frac{{\\rm{1}}}{{{{\\rm{R}}_{\\rm{1}}}}}{\\rm{)}}\\end{array}\\]直接计算出电导率。因而可以省去利用已知电导率的溶液来标定电导池常数。这种方法简化了实验步骤,其结果也是精确的

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质