9.1磁介质对磁场的影响 9.2分子的磁矩 9.3磁介质的磁化 9.4H的环路定理 9.5铁磁介质 9.6简单磁路

一、磁介质对磁场的影响 二、原子的磁矩 三、磁介质的磁化 四、H的环路定理 五、铁磁质 六、简单磁路

电学实验操作规程 电磁学实验的常用仪器和器件 实验一 电表的改转装和校准 实验二 电位差计的原理和使用 实验三 示波器的原理和使用 实验四 模拟静电场 实验五 交流电路的谐振现象 实验六 用冲击电流计测定螺线管磁场 实验七 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 实验八 RLC 串联电路的稳态过程 实验九 RLC 串联电路的暂态过程 实验十 交流电路功率的测量和功率因数的提高 实验十一 密立根油滴实验 实验十二 磁阻效应及磁阻传感器 设计实验 周期函数的傅里叶分析

9.1磁介质对磁场的影响 9.2分子的磁矩 9.3磁介质的磁化 9.4H的环路定理 9.5铁磁介质 9.6简单磁路

第9章磁场中磁介质 9.1~9.2&9.4(自学) 9.3磁介质的磁化 9.5铁磁质 9.6(自学)

铁磁质是制造永久磁体、电磁铁、变压器及各种电机不可缺少的材料,研 究磁性材料的学科称之为磁学。不同的铁磁质其性质可能很不相同,对于磁性 材料研究B~H关系十分重要 对于铁磁质成立的关系为:B=B-M,若使用B=A,则需注意

为开发低成本烧结钕铁硼磁体,用30% Ce替代(Nd0.75Pr0.25)32.69Fe66.25B1.06磁体中的Nd和Pr,研究了磁体在烧结及回火过程中的组织结构和磁学性能变化.结果表明,取向压坯在1030~1080℃烧结2 h后,随烧结温度升高,磁学性能下降,烧结温度为1030℃时综合磁学性能均最好.烧结态Ce替代磁体的综合磁学性能优于未替代磁体.一级回火后,相组成和晶粒尺寸基本不变,边界结构也未发生明显变化,磁体性能基本不变,或有少量下降.二级回火后,晶界明显改善,获得较清晰且平直的晶界,磁体矫顽力均得到大幅提高.Ce替代磁体的剩磁、矫顽力和磁能积均稍低于未替代磁体

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

电学实验操作规程 电磁学实验的常用仪器和器件 实验一 电表的改装和校准 实验二 电位差计的原理和使用 实验三 示波器的原理和使用 实验四 模拟静电场 实验五 交流电路的谐振现象 实验六 用冲击电流计测定螺线管磁场 实验七 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 实验八 RLC 串联电路的稳态过程 实验九 RLC 串联电路的暂态过程 实验十 交流电路功率的测量和功率因数的提高 实验十一 密立根油滴实验 实验十二 周期函数的傅里叶分析 实验十三 磁阻效应及磁阻传感器 实验十四 霍尔效应 实验十五 直流、交流电桥 实验十六 电子和场实验 实验十七 巨磁电阻效应及应用 设计性实验 一 多种方法测量电容与电感量 二 电路研究交流谐振电路品质因数系统误差 三 用电位差计测定表头参数 四 用示波器作为零示器设计交流电桥

一、了解磁介质的磁化现象及其微观解释. 二、了解磁场强度的概念以及在各向同性介质中H和B的关系, 了解磁介质中的安培环路定理 . 三、了解铁磁质的特性