第一章 检测技术的基本知识 第二章 电阻式传感器 第三章 电容式传感器 第四章 电感式传感器 第五章 压电式传感器 第六章 磁电式传感器 第七章 热电偶传感器 第八章 光电传感器 第九章 霍尔传感器 第十章 其他传感器 第十一章 检测系统的干扰抑制技术

8.1 数据中心与数据中心网络概述 8.2 电交换数据中心网络架构 8.3 光电混合交换数据中心网络架构 8.4 光交换与光互连数据中心网络架构 8.5 数据中心网络的路由技术 8.6 数据中心网络的传送技术 8.7 软件定义数据中心网络

半导体激光吸收光谱技术(DLAS，Diode Laser Absorption Spectroscopy)最早于20世纪70年代提出。随着半导体激光技术在20世纪80年代的迅速发展，DLAS技术开始应用于大气研究、环境监测、医疗诊断和航空航天等领域。 一、半导体激光器和光电探测器 二、激光气体分析仪的工作原理 三、技术优势与发展方向 四、典型产品及其应用 五、调校、维护和检修

13.1 单片机与外围集成数字驱动电路的接口 13.2 单片机与光电耦合器的接口 13.2.1. 晶体管输出型光电耦合器驱动接口 13.2.2. 晶闸管输出型光电耦合器驱动接口 13.3 单片机与继电器的接口 13.3.1 单片机与直流电磁式继电器功率接口 13.3.2 单片机与交流电磁式接触器的接口 13.4 单片机与晶闸管的接口 13.4.1 单向晶闸管 13.4.2 双向晶闸管 13.4.3 光耦合双向可控硅驱动器 13.5 单片机与集成功率电子开关输出接口 13.5.1 集成功率电子开关TWH8751简介 13.5.2 集成功率电子开关TWH8751的典型应用 13.6 单片机与固态继电器的接口 13.6.1 固态继电器的特性与分类 13.6.2 固态继电器的应用 13.7 低压开关量信号输出技术

一、薄膜加工工艺 主要有蒸发、溅射和化学气相淀积。 1.蒸发 条件：真空度1.33X10-2 Pa以下，加热蒸发材料

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

第一章信号分析基础 第二章测试系统的特性 第三章电阻应变式传感器 第四章电感式传感器 第五章电容式传感器 第六章压电式传感器 第七章光电式传感器 第八章热电传感器 第九章记录仪器

◼ 6.1 并行接口的概念 ◼ 6.2并行接口控制芯片8255A ◼ 6.3 数字量并行接口的应用 ◼ 6.4 数字量串行接口及芯片8251A ◼ 6.5 光电隔离输入输出接口

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好

4.1 传感器概述 4.2 电阻式传感器 4.3 电感式传感器 4.4 电容式传感器 4.5 磁电式传感器 4.6 光电传感器 4.7 压电式传感器 4.8 其他类型传感器检测 4.9 传感器选用原则