第一章总论 第二章渗流物理和过滤理论 第三章过滤式离心机 第四章进动离心机 第五章沉降式离心机 第六章水力旋流器 第七章相似理论与类比设计 第八章粒状滤料过滤装置 第九章纤维深层过滤器 第十章加压过滤 第十一章真空过滤机 第十二章过滤介质 第十三章膜分离方法简介

质谱法是通过将样品转化为运动的气态离 子并按质荷比(mz)大小进行分离记录的 分析方法。所获得结果即为质谱图(亦称质 谱)。根据质谱图提供的信息可以进行多种 有机物及无机物的定性和定量分析、复杂化 合物的结构分析、样品中各种同位素比的测 定及固体表面的结构和组成分析等。 质谱仪早期主要用于原子量的测定和定量 测定某些复杂碳氢混合物中的各组分等。 1960年以后,才开始用于复杂化合物的鉴定 和结构分析。实验证明,质谱法是研究有机 化合物结构的有万工具

§2－1电阻分压电路和分流电路 §2－2 电阻单口网络 §2-3 电阻的星形联结与三角形联结 §2－4 简单非线性电阻电路分析 §2－5 电路设计，电路应用和电路实验实例

§2－1电阻分压电路和分流电路 §2－2 电阻单口网络 §2-3 电阻的星形联结与三角形联结 §2－4 简单非线性电阻电路分析 §2－5 电路设计，电路应用和电路实验实例

油水两相是海底管道和集输管线常见的腐蚀工况之一。以3Cr钢为代表的低Cr合金钢是目前具有良好耐蚀性能的重要材料，但是，在油水两相层流工况下，特别是加注了一定缓蚀剂的条件下，3Cr钢的适用性尚不明确。通过高温高压反应釜模拟了油水两相层流工况的腐蚀环境，结合扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射谱（XRD）、激光共聚焦拉曼光谱、电化学交流阻抗等测试表征方法，研究了3Cr钢的腐蚀行为及缓蚀剂对其耐蚀性能的影响。结果表明，在油水分层工况下，3Cr钢的腐蚀产物膜为明显的双层膜结构，其内层腐蚀产物膜为结构致密的富Cr层，表现出良好的抗CO2腐蚀性能，但加入100 mg·L?1十七烯基胺乙基咪唑啉季铵盐缓蚀剂后，3Cr钢并未得到有效的缓蚀保护。腐蚀产物分析和电化学研究表明，烷烃分子、缓蚀剂分子及富Cr层间存在竞争关系，烷烃分子干扰了缓蚀剂分子的有序排列，影响了3Cr钢的耐蚀性

10.1 分销渠道的含义 10.2 分销渠道的组合 10.3 影响分销渠道选择的因素 10.4 分销渠道的管理决策 10.5 中间商的类型与作用 10.6 实体分配

第一节 系统评价原理 一、系统评价要素 二、系统评价的程序与方法 三、 综合评价指标与权重的确定 四、系统评价的主要方法 第二节 关联矩阵法 第三节 层次分析法 • 一、层次分析法概述 • 二、层次分析法的基本原理 • 三、层次分析法的步骤和方法 • 四、层次分析法的广泛应用 • 五、应用层次分析法的注意事项 第四节 模糊评价法

板料成形数值模拟概述 板料成形数值模拟概述 板料成形数值模拟概念 板料成形数值模拟的发展方向 板料成形概念 模拟分析流程 DYNAFORM软件介绍 分析参数设置 1.5 模拟分析流程 2.1 网格划分 2.2 毛坯尺寸的反向2.4 材料模型的定义计算 2.5 模具运动定义 等效拉延筋的设置 成形分析和回弹分析的方法 成形缺陷预测 板料成形数值模拟的应用 实例 影响成形质量的主要因素 接触碰撞现象 弹塑性变形现象 方形盒制件拉深成形的数值模拟

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

为了提高小型两床变压吸附（PSA）制氧机在变产品气流量下的氧气体积分数，建立了改进的Skarstrom两床循环PSA制氧实验装置，研究了产品气流量对其氧气体积分数的影响。研究结果表明，在低产品气流量运行条件下，通过提高清洗气总氧量与原料气总氧量之比（P/F）以及降低最高吸附压力与最低解吸压力之比（θ）可消除氧气返混的不利影响；在高产品气流量运行条件下，通过提高P/F和θ可以提高实验装置中分子筛的工作能力，进而提高产品气中的氧气体积分数。在此基础上，对低和高产品气流量运行条件下的P/F和θ进行了调节，分别将产品气流量为3.55 L·min?1和19.88 L·min?1时的氧气体积分数从92.4%增加至了95.7%和从74.0%增加至了74.9%。本文的研究结果可为变产品气流量下PSA制氧工艺参数优化提供参考