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贵州电子信息职业技术学院:《电子元器件基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)项目4 电接触件(主讲:谢忠福)
文档格式:PPT 文档大小:6.92MB 文档页数:54
本项目将介绍开关的种类、型号命名、参数、常用的各种开关及其特点;接插件的分类、性能、参数、各种常见的接插接及其特点;继电器的分类、主要参数、常见的各种继电器的工作原理、特点及应用
北京交通大学:《数字逻辑电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第七章 可编程逻辑器件PLD
文档格式:PPT 文档大小:0.99MB 文档页数:58
7-1可编程逻辑器件PLD概述 7-2可编程逻辑器件PLD的基本单元 7-3可编程只读存储PROM和可编程逻辑阵列PLA 7-4可编程逻辑器件PAL和通用逻辑阵列GAL 7-5高密度可编程逻辑器件 HDPLD原理及应用 7-6现场可编程门阵列FPGA 7-7随机存取存储器(SRAM)
川北医学院:《模拟电子技术基础》课程电子教案(课件讲稿)10 直流稳压电源
文档格式:PDF 文档大小:1.3MB 文档页数:25
10.0 引言 10.1 小功率整流滤波电路 10.1.1 单相桥式整流电路 10.1.2 滤波电路 10.2 串联反馈式稳压电路 10.2.1 稳压电源的质量指标 10.2.2 串联反馈式稳压电路的工作原理 10.2.3 三端集成稳压器 10.2.4 三端集成稳压器的应用
《模拟电子技术基础》课程PPT教学课件(第五版)第四章 双极结型三极管及放大电路基础(2/2)
文档格式:PPT 文档大小:2.39MB 文档页数:56
4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应
中国矿业大学:《模拟电路》课程电子教案(PPT课件,第五版)第四章 双极结型三极管及放大电路基础(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:3.41MB 文档页数:56
4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应
《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)02 基本放大电路
文档格式:PPT 文档大小:4.22MB 文档页数:98
2.1放大的概念和电路主要指标 2.7场效应管放大电路 2.6晶体管基本放大电路的派生电路 2.5单管放大电路的三种基本接法 2.4放大电路静态工作点的稳定 2.3放大电路的分析方法 2.2基本共射放大电路的工作原理
东南大学:《数字逻辑电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 门电路 2.4 TTL门电路(2/2)、2.6 CMOS门电路(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:598KB 文档页数:52
2.4.4 其他类型的TTL门电路 2.4.5 TTL门电路的改进 2.6 CMOS门电路 2.6.1 CMOS反向器工作原理 2.6.2 CMOS反向器静态输入输出特性
重庆邮电大学:《电路分析基础 Basis of circuit analysis》课程教学资源(PPT课件讲稿)第04章 电路的若干定理(Circuit Theorems)
文档格式:PPT 文档大小:947.5KB 文档页数:60
4.1 叠加定理 (Superposition Theorem) 4. 2 替代定理 (Substitution Theorem) 4.4 戴维南定理和诺顿定理 (Thevenin-Norton Theorem) 4. 5 *特勒根定理 (Tellegen’s Theorem) 4. 3 互易定理 (Reciprocity Theorem) 4. 6 *对偶原理 (Dual Principle)
重庆邮电大学:《电路分析基础 Basis of circuit analysis》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 电路的若干定理
文档格式:PPT 文档大小:947.5KB 文档页数:60
4.1叠加定理(Superposition Theorem) 4.2替代定理(Substitution Theorem) 4.3互易定理(Reciprocity Theorem) 4.4戴维南定理和诺顿定理 (Thevenin-Norton Theorem) 4.5*特勒根定理(Tellegen's' Theorem) 4.6*对偶原理(Dual Principle)
川北医学院:《模拟电子技术基础》课程电子教案(课件讲稿)05 场效应管放大电路
文档格式:PDF 文档大小:2.83MB 文档页数:54
5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较
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