1–1 半导体物理基础知识 1–2 PN结及晶体二极管 1–3 晶体二极管及其基本电路 1–4 其它二极管简介

6.3.1 集成锁相环路 6.3.2 锁相环在解调和锁相接收机中的应用 6.3.3 锁相环在频率合成器中的应用

9.1 集成运算放大器的构成 9.2 放大电路中的负反馈及应用 9.3 集成运算放大器的线性应用 9.4 正弦波振荡器 9.5 集成运算放大器的非线性应用 9.6 集成功率放大器 9.7 三端集成稳压器及应用 9.8 集成运放的线性应用实验 9.9 RC正弦波振荡器实验

6.4深度负反馈放大电路放大倍数的分析 重点讨论反馈系数和深度负反馈电路放大倍数的估算 6.4.1深度负反馈的实质

奇异信号 拉普拉斯变换的定义和收敛性 拉普拉斯变换的基本性质 拉普拉斯反变换的求解

10.1.1变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图题10.1.1所示,副边电源电压为v2=sin (ot,假定忽略管子的正向压降和变压器内阻

2.8.1直接耦合放大电路的特殊问题 2.81.1级间直流电位匹配问题

2.1放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2晶体三极管的其它工作模式 2.3埃伯尔斯—莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 2.7晶体三极管的应用原理

热探测器 光子探测器 热敏电阻型 热电偶型 热释电型 高莱气动型 外光电探测器 光电导探测器 光生伏特探测器 光磁探测器

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管