2.2.1 近似分析方法 2.2.2 欠压、临界和过压状态 2.2.3 四个电压量对性能影响的定性讨论

例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性

8-2 傅里叶变换的求取 8-4 周期信号的功率谱与非周期信号的能量谱 8-5 线性电路的傅里叶分析法及电路无失真传输的条件

§ 5.1放大电路频率特性的基本概念 §5.2复频域分析法 §5.3单级放大电路的频率特性

8.9.1 电缆障碍产生的原因 8.9.2 电缆障碍修复要求 8.9.3 电缆进潮障碍的排除

一、例题精解 【例题6.1】图6.1(a)所示电路中,已知R=R1=R2=R3=22,C=1F,L=1H, E=12V。电路原来处于稳定状态,t=0时闭合开关S.试求初始值i(0+)ic(0+)、u(0+)、 uc(0) R

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

（一）理论课程 1《计算机 C 语言程序设计》课程教学大纲 2《PLC 原理及应用》课程教学大纲 3《电子线路辅助设计》课程教学大纲 4《电装实习》实习教学大纲 5《单片机原理及应用》课程教学大纲 6《单片机原理及应用》实验教学大纲 7《信号分析与处理》课程教学大纲 8《电路分析基础》课程教学大纲 9《虚拟仪器技术》课程教学大纲 10《数字电子电路》课程教学大纲 11《工程训练 2》课程教学大纲 （二）实践课程 12《电装实习》实习教学大纲 13《毕业设计》教学大纲