2.3半导体三极管的基本分析方法 引言 2.3.1直流分析 2.3.2交流分析

3.1 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 3.1.1 理想开关的开关特性 3.1.2 半导体二极管的开关特性 3.1.3 半导体三极管的开关特性 3.1.4 MOS管的开关特性 3.2 分立元器件门电路 3.2.1 二极管与门和或门 3.2.2 三极管非门（反相器） 3.3 CMOS集成门电路 3.3.1 CMOS反相器 3.3.2 CMOS与非门、或非门、与门和或门 3.3.3 CMOS与或非门和异或门 3.3.4 CMOS传输门、三态门和漏极开路门 3.4 TTL集成门电路 3.4.1 TTL反相器 3.4.2 TTL与非门、或非门、与门、 3.4.3 TTL集电极开路门和三态门 3.4.4 TTL集成电路和其他双极型集成电路

2.1 半导体基础知识 2.2 PN结 2.3 半导体二极管（二极管） 2.4 双极型晶体管（三极管） 2.5 场效应晶体管（场效应管）

§2.2.1半导体应变片 §2.2.2半导体应变片

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

一、概述 高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯 片并获得收益的关键所在。本章将简单介绍影 响良品率的主要工艺及材料要素,并对良品率 测量点做出阐述。 维持及提高良品率对半导体工业至关重要 ,因为半导体制造工艺的复杂性,以及生产一 个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程, 是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因 。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯 片能够完成生产线全过程,成为成品出货

第9章半导体传感器 9.1气敏传感器 9.2湿敏传感器 9.3色敏传感器 9.4半导体式传感器的应用

Chapter 1 导论 Chapter 2 集成电路工艺介绍 Chapter 3 半导体基础 Chapter4 晶圆制造 Chapter 5 加热工艺 Chapter 6 光刻工艺 Chapter 7 等离子体的基础 Chapter 8 离子注入 Chapter 9 蚀刻 Chapter 11 金属化工艺

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一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空 内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()