§3-1 线性电路的比例性 网络函数 §3-2 叠加原理 §3-3 叠加方法与功率计算

1．练习三相负载的星形联接和三角形联接； 2．了解三相电路线电压与相电压，线电流与相电流之间的关系； 3．了解三相四线制供电系统中，中线的作用； 4．观察线路故障时的情况

8.1 耦合电感 8.2 耦合电感的连接及其去耦等效 8.3 空芯变压器 8.4 理想变压器和全耦合变压器 8.5 含理想变压器电路的分析计算

§1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.5.1 有源二口网络的S参数 §1.5.2 微波晶体管放大器增益 §1.5.3 微波放大器稳定性 §1.6 放大器噪声参数 §1.6.1 有源网络噪声参数一般表示式 §1.6.2 等噪声系数圆和等增益圆 § 1.7 微波晶体管放大器 §1.7.1 放大器的增益 §1.7.2 多级放大器噪声

采用交流阻抗谱研究了无电镀镍浸金处理电路板在模拟电解质溶液(0.1mol·L-1 NaHSO3)中的电化学腐蚀行为,并结合体视学显微镜、扫描电镜、X射线能谱分析等手段分析了试样表面腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.无电镀镍浸金处理电路板在NaHSO3溶液中的耐蚀性较差,浸泡12h试样表面局部即发生变色,伴随有微裂纹的产生.电解液能够通过裂纹直接侵蚀Cu基底,并在微裂纹周围生成较多的枝晶状结晶产物,其主要组分为Cu2S.该结晶腐蚀产物的不断生成使局部区域中间Ni过渡层与Cu基底结合部位存在较大的横向剪切应力,最终造成Ni镀层的脱离与鼓泡现象

采用交流阻抗谱研究热风整平无铅喷锡处理印制电路板（PCB-HASL）和无电镀镍金电路板（PCB-ENIG）在盐雾环境下的电化学腐蚀行为,并结合体式学显微镜、扫描电镜、X射线能谱等手段分析两种不同表面处理工艺电路板的腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.结果表明：盐雾环境下,PCB-HASL和PCB-ENIG均发生严重腐蚀;镀Sn层开始发生局部腐蚀,随后几乎整个表面都发生腐蚀,出现类似均匀腐蚀的现象,镀金板主要发生微孔腐蚀.在PCB-HASL腐蚀过程中,Cl-的侵蚀作用促进Sn层的腐蚀,后来由于逐渐形成大量的覆盖在镀层表面的腐蚀产物,使得腐蚀速率降低;而在PCB-ENIG腐蚀过程中,微孔处形成含Cl-电解质薄液层,Ni与Au构成腐蚀电偶,从而加速Ni的腐蚀,最终使Cu基底裸露,造成电路板失效

4. 1 偏置电路和耦合方式 4. 2 放大器的性能指标 4.3 基本组态放大器 4.4 差分放大器 4.5 电流源电路及其应用 4.6 集成运算放大器及集成功率放大器 4.7 放大器的频率响应 4.8 放大器的噪声

2.1 晶体三极管工作原理 2.2 晶体三极管其他工作模式 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2. 4 晶体三极管的伏安特性曲线 2. 5 晶体三极管的小信号电路模型 2. 6 晶体三极管电路分析方法 2. 7 晶体三极管的应用原理 2. 8 集成工艺

本文讨论了用于功率电子电路的晶闸管模型的建立方法。给出了一个适用于计算机辅助设计的非线性集中参数的晶闸管等效电路模型。模型的建立是基于对器件内部载流子运动的物理过程进行模拟,分析了器件的少数载流子注入;空间电荷区内部载流子的产生与复合;雪崩倍增效应;基区宽度调制效应及电荷存贮效应。将反映这些物理过程的数学公式用非线性电路元件表示,组成了由非线性电阻、电容及受控电流源所构成的晶闸管模型。利用这个模型可以分析晶闸管开关过程的动态非线性特性

1.7.4 宽频带放大器 1.7.5 微波放大器的CAD技术