黄河水利职业技术学院：《电路分析基础》课程教学资源（指导与解答，第2版）第1章 电路的基本概念和基本定律

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)

7.1 三相 交流电的 基本概念 7.3 三相 负载的连接

同步辐射特征 横向振荡的稳定性 运动学方程 电子的横向运动 经典回归 二极磁铁与边缘场 横向运动的相椭圆 变换矩阵M和N 弯转磁铁 电子的横向振荡的特性 横向振荡的包络 系统的接受度

6.5 全耦合 变压器 6.1 互感 的概念 6.3 空芯 变压器

中国科学技术大学：《电子技术基础》课程教学资源（PPT课件讲稿，模拟部分）第十章 信号处理与信号产生电路 §10.1 滤波电路的基本概念

东华大学出版社：《光电信息技术》教材电子教案（PPT课件讲稿）第三章 光电信息转换 3.2.2电荷耦合器（CCD）

目录 第一部分实习目的 第二部分焊接61板前期练习 第三部分61板焊接 第四部分61板测试 第五部分下载工具使用说明 第六部分精彩体验

§2-1 基本运算电路 §2-2 对数和反对数运算电路 §2-3 运算放大器的误差分析