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8.1变量的地址和指针 一、变量:代表“内存中的某个存储单元” 二、内存地址—内存中存储单元的编号 (1)计算机硬件系统的内存储器中,拥有大量的存储单元(容量以1字节为单位)。为了方便管理,必须为每一个存储单元编号,这个编号就是存储单元的“地址”。每个存储单元都有一个惟一的地址。 (2)在地址所标识的存储单元中存放数据。 注意:内存单元的地址与内存单元中的数据是两个完全不同的概念
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铝镇静钢液浇注过程中,浸入式水口耐材内壁特征受到钢液侵蚀和夹杂物聚集影响,从近光滑壁面逐渐向多孔耐火材料壁面和含结瘤物的粗糙结瘤壁面转变,壁面形貌的变化影响边界层流场结构和氧化铝夹杂物的输运。采用物理模拟的方法在浸入式水口模型内壁镶嵌多孔耐火材料结构和含结瘤物耐材壁面结构,结合粒子图像测速技术研究不同特征壁面附近流场边界层。使用MATLAB耦合流场测速结果和氧化铝夹杂物运动数学模型,研究了不同特征壁面的流场边界层中氧化铝夹杂物的运动轨迹。使用象限分析法确定了浸入式水口边界层流场存在上抛和下扫事件。氧化铝夹杂物位于下扫事件区域时,朝向壁面运动,粒径为1 μm的氧化铝夹杂物在下扫事件中运动轨迹更接近壁面,增加了沉积的可能性;氧化铝夹杂物位于上抛事件区域时,远离壁面运动。多孔耐火材料壁面和结瘤壁面边界层内氧化铝夹杂物运动幅度大于光滑壁面边界层流场内氧化铝夹杂物运动幅度。壁面状态由近光滑壁面转变为多孔耐火材料和结瘤壁面时,流场边界层中下扫事件平面占比由10.17%增加到39.77%,上抛事件平面占比由32.96%减小到9.24%;同时,流场边界层中下扫事件发生的概率由25.83%增加到28.24%,这将加速氧化铝夹杂物在多孔耐火材料和结瘤壁面的沉积进程
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一、 Rolle中值定理 二、 Lagrange中值定理 三、 Cauchy中值定理 四、 Taylor中值定理 五、小结
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提出同时利用聚苯胺的导电性、化学与电化学稳定性对金属进行防腐保护的设想。探索用电化学方法在不锈钢阳极上,从酸性苯胺溶液中合成致密的导电聚苯胺膜的条件。通过极化曲线测量得知,在3%NaCl和0.5mol/1H2SO4溶液中其腐蚀电位均为正值(相对于饱和甘汞电极),比不锈钢基体正移了约(0.2~0.7)V,腐蚀电流比304不锈钢或一般碳钢约小3个数量级。当电位达到0.65V(在3%NaCl溶液中)或0.9V在0.5mol/1H2SO4中),聚苯胺膜会因过氧化而溶解脱落。在1mol/1HCl溶液中,聚苯胺膜不能改善样品的耐腐蚀性能
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在16Mn、20MnVB、25MnTiB和09CuPTi钢中,RE/S比值分别达到2.2、2.0和1.2时,获得净化钢液的最佳效果。稀土变质氧化物取决于钢中aCe/aAl和aCe·aS/aAl·ao的比值,并对疲劳性能的改善起重要的作用;上述钢中RE/S比值分别达2.5、1.8和1.5时,将获得完全硫化物和氧化物的变质效果。因此为了得到高质量的稀土处理钢,必须控制钢中合适的RE/S比值的范围
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利用循环伏安法对锂在苯碳黑中的插入过程进行了研究。结果表明,锂在苯碳黑中的首次插入过程伴随着一些不可逆反应,这些不可逆反应是由于电解质溶液中的溶剂化离子的插入引起的。在碳表面也存在的不可逆反应。随着具有石墨结构成分的增加,在碳中有了明显的锂插入反应。经1000℃以上温度处理过的碳黑锂的迁出电位在0.1左右,从而能代替锂作二次锂电池阳极材料
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从理论上导出n(≥2)元体系中各中间化合物的自由焓之间的关系通式,并据此得出各化合物的自由焓随组元摩尔分数的变化规则:在二元系中应符合拟抛物线规则;在三元系中应符合拟抛物面规则;对于四元以上的体系,一般来说,已无法用几何方法来描述其变化规则
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采用交流阻抗技术,研究钝化304不锈钢单晶体在pH1.0,0.25mol/lNa2SO4含氯介质中的孔蚀行为。对孔蚀过程中的阻抗频谱特征进行了分析,提出孔蚀的发生和发展过程中都有复合物(MOHC1)形成。复合物进一步吸附更多的氯离子,导致溶解反应发生。并提出一个孔蚀的的反应机理模型,它与304不锈钢多晶体在硫酸含氯介质中的孔蚀机理没有本质的差别
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研究了不同稀土含量铁铬铝合金,在高温下晶粒长大及界面结构。结果表明:在1200℃以上高温,稀土组元(以La为主)对抑制合金的晶界长大有一定效果,La2O3可作为TiN相析出的形核中心,细小TiN质点可在晶界上出现,阻碍晶界迁移;在变温过程中,La向界而扩散,在晶界以La2O3形式出现,同时稀土加速氧穿过氧化膜向基体中渗透,导致Al2O3及La2O3在基体中形成
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Kim B.Bruce于1978年提出了三价逻辑L(Q)的逻辑公理系统。H.J.Keisler在1971年发表了无穷逻辑中的模型论一书,提出了无穷逻辑的公理系统,文中结合上述两种逻辑系统的思想,应用了无穷逻辑中的模型论一书中介绍的和谐性质的方法,建立了无穷逻辑中的二阶语言Lw1w(Q)的公理系统及模型理论。这部分主要是对Lw1w(Q)中的省略型定理及素模型定理的证明
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