5.1概述 5.1.1 MOS管的基本特性 5.1.2CMOS逻辑电路 5.2半导体存储器 5.2.1随机存取存储器 5.2.2只读存储器 5.3可编逻辑器件 5.3.1可编程逻辑阵列 5.3.2可编程阵列逻辑 5.3.3其它可编程逻辑器件

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

（1）阻抗的概念及电阻、电容和电感的等效电路； （2）电阻、电容和电感的种类及参数； （3）半导体器件的特性、参数与种类； （4）晶体管特性图示仪

光电器件主要分成外光电效应(光电发射效应, 分表面效应和体效应,金属和金属氧化物)和内光电效应(光电导效应和光生伏特效应,半导体) 就光电器件而言,最重要的参数是:灵敏度、驰豫时间和光谱分布。其次是温度特性、噪声特性等

4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试

第一章 单片机的基础知识 第二章 MCS-51指令系统 第三章 汇编语言程序设计 第四章 半导体存储器 第五章 输入输出与中断 第六章 并行接口与定时／计数器 第七章 串行接口 第八章 功能器件的应用 第九章 单片机的C51编程 第十章 单片机控制系统设计与调试

一、控制电路设计注意事项 ①主电路保护的设置 这里所讲的保护,主要是针对电源变换装置里 的器件,需要保护的状态包括:过电压、过电流、 过热等。 电力电子装置里的许多元件,特别是半导体器 件,对电压电流非常敏感,正确地设置保护电路, 对电源变换装置的安全运行至关重要

所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备

14.1 半导体的导电性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件

第一部分 电子线路实验基础 实验一 元器件知识及仪器使用 第二部分 常用实验仪器 仪器一 YB1713双路直流稳压电源 仪器二 XD22型低频信号发生器 仪器三 COS5020TM型双踪示波器 仪器四 AS2173D型交流毫伏表 仪器五 XJ4810A型半导体管特性图示仪