文章介绍了集成光开关的发展现状及核心技术,包括采用氧化硅I-V族半导体材料和硅材料来制作光开关的进展以及各种技术的特点。其中硅基集成光开关具有结构紧凑、功耗小、成本低以及与互补型金属一氧化物一半导体(CMOS)工艺兼容的优势,适合大规模光开关制作和量产,具有潜在的巨大市场商用价值。文章重点介绍了实现硅基光开关的核心单元器件以及几种代表性光开关阵列并对光开关状态监控和调节以及光电封装做了阐述

8.1 存储设备的分类 8.2 只读存储器ROM 8.3 PROM 8.4 可擦写PROM 8.5 ROM的应用 8.6 RAM(随机访问存储器或叫读写存储器)

1.4 .1 BJT的工作原理 1. 4 . 2 BJT的静态特性曲线 1. 4. 3 BJT的主要参数 1. 4. 3 BJT的小信号模型

本项目将主要介绍半导体器件中的二极管、三极管、场效应管、晶闸管和单结晶体管的结构、特性、参数和应用。通过各种半导体器件的识别和检测，掌握半导体器件在电子电路中的应用。•掌握半导体和PN结•了解二极管结构、分类、特性和参数•熟悉常用二极管的特性及应用•掌握二极管的检测•掌握晶体三极管的结构和分类•掌握晶体三极管的特性曲线•熟悉晶体三极管的主要参数及选用方法•掌握晶体三极管的检测•掌握场效应管的结构和工作原理•熟悉场效应管的参数和使用特点•掌握场效应管的检测•掌握单向、双向晶闸管的结构、特性和工作原理•了解单向、双向晶闸管的主要参数•掌握单向、双向晶闸管的检测•掌握单结晶体管的工作原理、特性曲线和参数了解单结晶体管的应用

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

第一节光敏电阻 第二节光电池 第三节光敏二极管

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

8-1.ROM由主要由哪几部分组成? 8-2.试比较ROM、PROM和 EPROM及E2PROM有哪些异同? 8-3.PROM、 EPROM和 E2PROM在使用上有哪些优缺点?