一、实验目的 1．掌握CMOS集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会CMOS集成门电路主要参数的测试方法

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

测试分析了酚醛树脂碳化产物组装的锂离子充放电性能.实验结果表明,树脂碳化产物作为锂离子电池碳电极材料时,其碳化处理温度有一个最佳温度范围,酚醛树脂碳化产物的最佳温度在700℃左右;树脂碳化产物的比表面积是影响电池充放电性能的重要因素,碳化产物的比表面积越大,电池的充放电量就越高,电池充放电量与充放电电流密度成反比

一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的

采用直流磁控溅射法在镁合金上沉积铝膜,在高真空下对铝膜进行加热后处理.用X射线衍射仪(XRD)分析膜层为纯铝多晶态,扫描电子显微镜(SEM)观察铝膜晶粒细小.采用纳米压痕/划痕仪对铝膜的厚度、临界附着力、硬度和弹性模量进行了测试,并且用辉光放电光谱仪(GDS)测试了镁合金表面铝膜的成分和性能随薄膜深度的分布.结果表明,铝膜的厚度随后处理温度的升高而降低,其表面硬度和弹性模量高于镁合金基体并且随深度增加而逐渐降低.铝膜与镁合金基体间存在一个过渡层,结合良好且表现出一定的弹塑性能,有利于镁合金表面的防护

针对以往夹杂物检测方法离线的弊端,给出了一种新颖的在线检测方法——电敏感区在线检测法,并分别在冷态下(电解质溶液)及热态下(铝液)进行了夹杂物测试。试验证明,将电敏感区法应用于导电液体中非导电夹杂物在线实时测试,所提技术方案是可行的

采用光学显微镜对AF1410电子束焊接接头的组织结构进行了分析,并采用中性盐雾腐蚀失重和电化学测试方法研究了焊缝熔合区和基体耐腐蚀性能及电化学行为.结果表明:电子束焊接后的焊缝位置为粗大回火马氏体和析出碳化物;基体的腐蚀失重较焊缝熔合区低.电化学测试表明,焊缝熔合区的开路电位低于基体,腐蚀电流高于基材,阻抗值也较低,易腐蚀,这是回火马氏体与析出的碳化物间存在电位差而导致的电化学反应,使材料在腐蚀介质中腐蚀失效

风力发电塔作为一类特殊的高柔结构,顶部支撑的风机在工作状态下对塔身产生动态激励,目前的风电塔振动实测通常采用接触式传感器.为发展风电塔现场非接触测试技术,本文对激光遥测方法进行阐述,利用加速度计和激光遥测设备对某1.5 MW风电塔进行环境脉动激励下的动力实测,对两种仪器的现场使用及测试结果进行对比,分析遥测方法的优势.利用得到的多组实测信号,分别采用峰值拾取法和随机子空间识别法进行分析处理,获得该风电塔的自振频率

对宝钢炼钢厂 300 t整体钢包的整个周转过程热状态进行了跟踪测试,对各阶段的测试结果进行了分析,并得出了周转过程各阶段钢包包衬温度变化规律.在此基础上提出缩短烘烤时间,加盖保温等提高热循环效率的措施

本文着重介绍了椭偏术的基本原理及其在腐蚀研究领域中应用的技术问题及解决方法。并应用椭偏仪和电化学测试方法对不锈钢缝隙腐蚀表面膜的动力学规律进行了初步探讨,结果表明,椭偏术原理,计算是复杂的,但操作简便。用于腐蚀金属表面膜的原位测试,则有它独到的优点