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第四章触发器 4.1概述 4.2触发器的基本形式 4.3触发器按逻辑功能的分类 4.4触发器逻辑功能的转换 4.5触发器的触发方式 4.6触发器的应用举例
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13-1 拉普拉斯变换的定义 13-2 拉普拉斯变换的性质 13-3 拉普拉斯反变换 13-4 运算电路 13-5 应用拉普拉斯变换分析电路
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4. 1 偏置电路和耦合方式 4. 2 放大器的性能指标 4.3 基本组态放大器 4.4 差分放大器 4.5 电流源电路及其应用 4.6 集成运算放大器及集成功率放大器 4.7 放大器的频率响应 4.8 放大器的噪声
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2.1 晶体三极管工作原理 2.2 晶体三极管其他工作模式 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2. 4 晶体三极管的伏安特性曲线 2. 5 晶体三极管的小信号电路模型 2. 6 晶体三极管电路分析方法 2. 7 晶体三极管的应用原理 2. 8 集成工艺
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第8章 功率放大电路 8.1互补对称功率放大电路 8.2集成功率放大器及其应用
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1. 电阻和电源的串、并联 2. 电源的等效变换 3. 输入电阻的计算 2.2 电路的等效变换 2. 5 理想电压源和理想电流源的串并联 2.6 实际电源的两种模型及其等效变换 2. 4 电阻的星形联接与三角形联接的等效变换(Y—△变换) 2.7 输入电阻 2.1 引言 2.3 电阻的串联和并联
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课程性质 一、“数字电路与逻辑设计”是计算机各专业必修的一门重要技术基础课。 二、该课程在介绍有关数字系统基本知识、基本理论、及常用数字集成电路的基础上,重点讨论数字逻辑电路分析与设计的基本方法。从计算机的层次结构上讲,“数字逻辑”是深入了解计算机“内核”的一门最关键的基础课程
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第七章中规模通用集成电路及其应用 集成电路由SSI发展到MSI、LSI和VLSI,使单个芯片 容纳的逻辑功能越来越强。 一般来说,在SSI中仅是基本器件(如逻辑门或触发器) 的集成,在MSI中已是逻辑部件(如译码器、寄存器等)的 集成,而在LSI和VLSI中则是一个数字子系统或整个数字 系统(如微处理器)的集成
文档格式:PDF 文档大小:1.27MB 文档页数:9
采用交流阻抗谱研究热风整平无铅喷锡处理印制电路板(PCB-HASL)和无电镀镍金电路板(PCB-ENIG)在盐雾环境下的电化学腐蚀行为,并结合体式学显微镜、扫描电镜、X射线能谱等手段分析两种不同表面处理工艺电路板的腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.结果表明:盐雾环境下,PCB-HASL和PCB-ENIG均发生严重腐蚀;镀Sn层开始发生局部腐蚀,随后几乎整个表面都发生腐蚀,出现类似均匀腐蚀的现象,镀金板主要发生微孔腐蚀.在PCB-HASL腐蚀过程中,Cl-的侵蚀作用促进Sn层的腐蚀,后来由于逐渐形成大量的覆盖在镀层表面的腐蚀产物,使得腐蚀速率降低;而在PCB-ENIG腐蚀过程中,微孔处形成含Cl-电解质薄液层,Ni与Au构成腐蚀电偶,从而加速Ni的腐蚀,最终使Cu基底裸露,造成电路板失效
文档格式:PDF 文档大小:1.44MB 文档页数:8
采用交流阻抗谱研究了无电镀镍浸金处理电路板在模拟电解质溶液(0.1mol·L-1 NaHSO3)中的电化学腐蚀行为,并结合体视学显微镜、扫描电镜、X射线能谱分析等手段分析了试样表面腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.无电镀镍浸金处理电路板在NaHSO3溶液中的耐蚀性较差,浸泡12h试样表面局部即发生变色,伴随有微裂纹的产生.电解液能够通过裂纹直接侵蚀Cu基底,并在微裂纹周围生成较多的枝晶状结晶产物,其主要组分为Cu2S.该结晶腐蚀产物的不断生成使局部区域中间Ni过渡层与Cu基底结合部位存在较大的横向剪切应力,最终造成Ni镀层的脱离与鼓泡现象
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