高硫尾矿配制成的膏体表现出不同程度的强度劣化,高硫膏体强度劣化能引起充填体质量的巨大变化.通过不同硫含量的膏体强度劣化实验,同时结合X射线衍射物相分析和环境扫描电镜分析,对高硫膏体的劣化规律和劣化机理进行了分析.得出含硫尾矿在一定程度上能促进膏体早期强度增长,却抑制了后期强度发育,硫含量越高,膏体后期强度劣化越显著.硫化物氧化生成的硫酸盐能促进膨胀性钙矾石和石膏类物质的生成.同时酸性环境造成了C-S-H的脱钙和CH的分解,已形成的胶凝体系遭到破坏,进一步促进了充填体的劣化.通过孔隙计算模型对晶体膨胀应变和裂纹发育过程进行了分析,阐述了膨胀性物质的线弹性应变发育机理

语句是C++中最小可执行单元,用于规定程序执行的控制流程。在C++中,一条语句 的结束用分号(;)进行标识。 语句分为: 1、简单语句一—包括空语句、说明语句和表达式语句。 空语句不包括任何数据或运算符,仅由一个分号构成,不执行任何操作。常用在空循环 中,用作时间延迟。 在一个常量、变量或函数说明之后加一个分号就构成一个说明语句,它是C++中唯一可 以在函数体外书写的语句。 在表达式后加一个分号便构成了表达式语句它是C++程序完成其功能的最重要的组成 部分

本章介绍拉普拉斯变换法在线性电路分析中的应用。主要内容有:拉普拉斯变换的第一,拉普拉斯变换与电路分析有关的一些基本性质,求拉普拉斯反变换的部分分式法(分解定理),还介绍了KCL和KVL的运算形式,运算阻抗,运算导纳及运算电路,并通过实例说明它们在电路分析中的应用

本章要求：在原子结构理论基础上，讨论分子的形成过程，介绍化学键、分子的空间构型和晶体的基本类型、性质和相关理论等分子结构和晶体结构的基础知识。本章学习的主要要求为：1．掌握化学键的基本概念、基本类型、形成条件和基本性质；2．掌握共价键的形成条件和本质，现代价键理论的基本要点，了解共价键的键参数及其应用。3．掌握杂化轨道理论的要点和sp型杂化所组成的分子的空间构型。4．了解分子轨道理论的基本要点，并能用其解释一些典型分子的性质特点。5．了解分子间作用力和氢键对物质某些性质的影响。6．了解金属键的形成、特性和金属键理论要点。7．在理解化学键、分子间作用力（包括氢键）的本质和特性的基础上，掌握晶体的基本类型和特点性质。了解晶体结构对物质性质的影响

上机习题要求: （1)习题1、2为必做题,习题3、4选做其中之一,习题5、6选做其中之一。 （2)独立完成4个上机题,并完成一份分析报告。分析报告中要对所计算的问题和建模过程做简要分析,以图表形式分析计算结果。 （3)上交分析报告和4个上机题的日志文件(*og文件),不要提交.db文件,日志文件要求清楚、简洁。上述文件上传到指定的ftp服务器

采用现有的双P型辐射管进行燃烧实验，并进行相应的CFD仿真对比，结果显示NOx体积分数的数值计算与试验结果误差最大为3.6%，其他参数的偏差均在1%以内.将空气分级的理念应用于双P型辐射管，设计一种带支管的分区分级燃气辐射管，并对其流动和传热特性进行仿真研究.结果表明：支管通入空气量占总空气量的25%时，辐射管壁面温差最大，热效率最高；支管通入燃气量为20%时，辐射管壁面温差最小，壁面温度均匀性最好；支管以相同空燃比同时通入空气和燃气，且支管通入空燃气量为总燃气量的25%时，整个辐射管内气体温度分布最均匀；支管通入空燃气量占总气体量从5%增加到35%的过程中，壁面温差先降低后缓慢增加，支管通入燃气量为20%时辐射管壁面温差最小

上机习题要求: (1)习题1、2为必做题,习题3、4选做其中之一,习题5、6选做其中之一。 （2)独立完成4个上机题,并完成一份分析报告。分析报告中要对所计算的问题和建模过程做简要分析,以图表形式分析计算结果。 （3)上交分析报告和4个上机题的日志文件(*.log文件),不要提交.db文件,日志文件要求清楚、简洁。上述文件上传到指定的ftp服务器

企业营运能力分析 一、短期资产营运能力分析 二、长期资产营运能力分析

通过物理—化学相分析及其它物理手段对经900℃不同时间时效的GH220合金的渗铝层进行了逐层相分析。用联立方程分别求出离表面不同深度范围内β—NiAl相γ′相的含量。通过修正比重,对取层厚度进行了合理计算。提供了渗铝层中相变趋势。本文把计算过程全部编成程序。对微处理机在相分析中的运用作了初步尝试

多元分析讨论多变量(多指标)问题,由于变量较多,增加了问题的复杂性。但在许多实际问题中我们经常发现变量之间有一定的相关性,人们自然希望用较少的变量来代替原来较多的变量, 且使这些较少的变量尽可能地反映原来变量的信息。将这种思想引入统计学,就产生了主成分分析,典型相关分析等。下面只介绍主成分分析