第0节 磁共振的物理基础 第一节 MRI成像系统概述 第二节 主磁体 第三节 梯度磁场系统 第四节 射频系统 一、基本概念 二、发射线圈与发射通道 三、接受线圈与接受通道 四、射频信号接收单元 第五节 计算机系统 第七节 磁共振扫描床 一、结构 二、床面水平纵向移动装置 三、床面水平横向移动装置 四、控制电路 第八节 超导及低温系统 一、超导性与超导体 二、低温技术 三、超导环境的建立与失超保护 第九节 磁场的屏蔽 一、磁场与环境的相互影响 二、主磁体屏蔽 三、射频屏蔽

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

第一节 集成运放的组成与性能 第二节 运算放大器的基本电路 第三节 集成运放在信号测量及处理方面的应用

2.1 物理层的基本概念 2.2 数据通信的基础知识 2.3 物理层下面的传输媒体 2.4 信道复用技术 2.5 数字传输系统 2.6 宽带接入技术

实验一 常用电子仪器的使用 实验二 单级放大电路 实验三 射极跟随器 实验四 差动放大器 实验五 负反馈放大电路 实验六 集成运算放大器的应用 实验七 信号发生与功放综合电路 实验八 直流稳压电源

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

第一章 绪论 第二章 运算放大器 第三章 半导体二极管及其基本电路 第四章 场效应管放大电路 第五章 三极管及放大电路基础 第七章 模拟集成电路 第八章 反馈放大电路 第十章 信号处理与产生电路

前面所分析的逻辑电路，基于输入/输出都是在稳定的逻辑电平下进 行的，没有考虑动态变化状态。实际上，输入信号有变化，或者某个变 量通过两条以上路经到达输出端。由于路经不同，到达的时间就有先有 后，这一现象叫做竞争

针对焊缝缺陷磁记忆检测中存在定量化反演难题,建立了基于改进的支持向量回归机定量反演模型.以预制不同尺寸未焊透和夹渣缺陷的Q235焊接试样为试验材料,进行磁记忆扫描检测发现:缺陷位置的磁记忆信号特征参数随尺寸变化而呈现一定的变化规律,但同时存在分散性和不确定性.鉴于磁记忆信号样本的有限性、分散性和非线性,首先将提取到的磁记忆特征参数进行归一化处理,引入支持向量回归机建立焊缝缺陷磁记忆定量反演模型,并进一步利用模拟退火算法对支持向量回归机参数进行优化,使目标函数达到全局最优而非局部最优.最后,考虑到由磁记忆信号逆向反推缺陷的三维尺寸,存在解的不确定性,为此在缺陷单维尺寸反演模型的基础上,通过构建多层结构的支持向量回归机进行多尺寸反演输出,建立了基于模拟退火支持向量回归机的焊缝缺陷磁记忆定量反演模型,结果表明:未焊透缺陷尺寸反演最大相对误差为7.96%,夹渣缺陷为4.97%,为焊缝缺陷的磁记忆反演与定量化评价提供一种新的思路

5.1 电容元件与电感元件 5.2 换路定理与初始值的计算 5.3 直流一阶电路的时域经典求解法 5.4 直流一阶电路的三要素法 5.5 阶跃函数与阶跃响应 5.6 正弦信号作用下的一阶电路 5.7 RC微分电路和积分电路 5.8 二阶电路时域经典分析法