作为片内I/O口的基本应用，本章介绍单片机片内I/O口与常见的输入器件（开关、键盘以及拨盘开关等）以及常见的显示输出器件（发光二极管、LED数码管、LCD液晶显示器和微型打印机）的接口设计与编程。 7.1 单片机控制发光二极管的显示 7.1.1 单片机与发光二极管的连接 7.1.2 单片机I/O端口控制发光二极管的编程 7.2 开关状态检测 7.3 单片机控制LED数码管的显示 7.3.1 LED数码管显示原理 7.3.2 LED数码管的显示方式 7.3.3 LED数码管静态显示设计 7.3.4 LED数码管动态显示设计 7.4 单片机控制LED点阵显示器显示 7.4.1 LED点阵显示器结构与显示原理 7.4.2 控制16×16 LED点阵显示屏的设计 7.5 单片机控制LCD 1602液晶显示器的显示 7.5.1 LCD 1602液晶显示模块简介 7.5.2 单片机控制字符型LCD 1602的显示案例 7.6 键盘接口设计 7.6.1 键盘接口设计应解决的问题 7.6.2 独立式键盘的设计 7.6.3 矩阵式键盘的设计 7.6.4 单片机与专用键盘/显示器芯片HD7279的接口设计 7.7 AT89S52单片机与微型打印机TPµP-40A/16A的接口 7.7.1 TPµP-40A/16A微型打印机简介 7.7.2 AT89S52单片机与TPµP-40A/16A的接口设计 7.8 单片机与BCD码拨盘的接口设计

要求： ❑ 单相桥式整流电路及性能参数计算 ❑ 电容滤波电路的工作原理 ❑ 串联反馈式稳压电路工作原理及输出电压的计算 10.1 小功率整流滤波电路 10.1.1 单相桥式整流电路 10.1.2 滤波电路 * 10.1.3 倍压整流电路 10.2 串联反馈式稳压电路 10.2.1 稳压电源质量指标 10.2.2 串联反馈式稳压电路的工作原理 10.2.3 三端集成稳压器 10.2.4 三端集成稳压器的应用 10.3 开关式稳压电路

接地电阻的测定： ❖ 一 实验目的： 1、掌握接地电阻测量仪的使用方法；2、掌握接地电阻测量的意义；3、了解常用的避雷和防静电危害的方法。 ❖ 二 实验内容： 使用接地电阻测量仪测定指定物品的接地电阻值。 着火性实验： ❖ 一 实验目的 ❖ 测定固体无机物对外部点火源的反应，推断其着火的危险性。 ❖ 二 实验内容 ❖ 采用简单易行的BAM着火性实验来判断固体无机物的危险性。 ❖ 三 实验原理 ❖ 本实验把一定质量的试样与不同的点火源接触，观察其是否着火，并依据样品着火的难易程度，来判断其危险性。 可燃固体的燃烧实验： ❖ 一 实验目的 ❖ （1）了解可燃固体的定义与分项； ❖ （2）了解可燃固体的着火与燃烧特性； ❖ （3）学习可燃固体燃烧性的试验方法。 ❖ 二 实验原理 ❖ 当堆放的可燃固体粉末与加热的金属丝接触时，如果金属丝的温度等于或高于该固体的燃点，固体粉体就会着火燃烧。 禁水性物质实验： ❖ 一 实验目的 ❖ 判断固体或液体物质与水接触是否会产生可燃性气体或发火而导致危险。 ❖ 二 实验原理 ❖ 将一定质量的被试物质与一定量的纯水混合，在一定温度下使其发生危险。观察反应产物是否有气体，并依据所产生的气体量判断其危险性排序

本章要求掌握： ◼ 1)联轴器、万向节、离合器与制动器的工作原理及其结构特点。 ◼ 2)常用的轴器、万向节、离合器与制动器的分类及其适用场合。 ◼ 3）十字万向节不等速性的形成原因及其性能的差别。 ◼ 4）联轴器的相关参数及其选用原则

第7章报表文件生成和原理图打印 第7章练习1(产生网络表)

3.1 引言 3.2 线性调制的原理 3.3 线性调制系统的解调 3.4 线性调制系统的抗噪声性能分析 3.5 非线性调制系统的原理及抗噪声性能 3.6 各种模拟调制系统的比较

1适用范围 本法适用于水(如地下水、地表水、废水)中浓度在0.01ug/L~lug/L范围的汞的测定 2原理概要 汞被四硼氢化钠还原成元素态,与释放出的氢一起被惰性气体流携带经过一大面积的贵 金属表面,比如金/铂网,汞被吸收。快速加热吸附剂汞即被释放出来,然后由载气流带入吸 收池,在253.7nm测量吸光度

1目的要求 (1)测定Cu-Zn原电池的电动势及Cu、Zn电极的电极电势。 (2)学会几种电极和盐桥的制备方法。 (3)掌握可逆电池电动势的测量原理和UJ34型电位差计的操作技术

本章首先详细介绍了传感器的基本概念、相关特性和发展趋势；其次，根据传感器的工作原理将传感器分为应变式传感器、电感式传感器、电容式传感器、压电式传感器和磁电式传感器等，并对这些传统类型传感器的工作原理、技术特点等进行了介绍；最后，介绍了目前和我们日常工作密切相关的一些常见的传感器，例如用来测量温度、湿度、光照度等传感器，分别介绍了传感器的工作原理、分类标准以及在相关领域的应用

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化