3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器

11.1 基本ＲＳ触发器 11.2 时钟控制的触发器 11.3 主从触发器 11.4 集成边沿触发器

为了研究低活化马氏体CLAM钢的抗辐照肿胀性能,在450℃下对CLAM钢进行大剂量高能电子辐照的原位动态实验.利用超高压透射电子显微镜观察发现,CLAM钢中产生了大量的间隙原子型位错环和多面体形状的辐照空洞.分析了它们的形核和长大规律以及相关机制.计算表明,CLAM钢在高能电子辐照下的最大肿胀率为0.26%,具有较好的抗辐照肿胀性能

第5章集成运算放大器应用电路 5.1集成运算放大器应用基础 5.2集成运放的线性应用 5.3集成运放的非线性应用 5.4集成运放在应用中的实际问题

8.1 放射治疗装置分类 8.2 X线治疗机 8.3 钴-60治疗机 8.4 医用电子直线加速器 8.5 立体定向放射治疗装置γ-刀(Gamma-knife) 8.6 立体定向放射治疗装置X-刀(X-knife)

10.1 组合逻辑电路的分析与设计 10.2 组合逻辑部件 10.3 竞争与冒险

1.课程名称:数字电子技术(1) Digital Electronics Technology(1) 2.适用专业:电子、通信、生物医电 3.适用年级:大学二年级 4.适用学年:大学第二学年 5.适用学期:大学第二学年第二学期

5.1 费米分布函数和自由电子气比热容 5.2 金属的费米面 5.3 费米面的实验测定 5.4 输运现象 5.5 金属的电导率 5.6 弛豫时间与碰撞概率的关系 5.7 电子-声子相互作用与金属电阻率 5.8 等离激元与准电子

第十一章模拟电子电路读图 习题 11.1电路如图P11.1所示,其功能是实现模拟计算,求解微分方程。 (1)求出微分方程; (2)简述电路原理

4.1 经典自由电子论（Drude-Lorentz) 4.2 量子自由电子论（Sommerfeld） ： 一. 金属中自由电子的运动状态 二. 能态密度 三. 基态能量 四. T>0K 时电子的分布和能量