探测器件 热光电探测元件 光电探测元件 气体光电探测元件 外光电效应 内光电效应 非放大型 放 大 型 光电导探测器 光磁电效应探测器 光生伏特探测器 本征型 掺杂型 非放大 放大型 真空光电管 充气光电管 光电倍增管 变像管 摄像管 像增强器 光敏电阻 红外探测器 光电池 光电二极管 光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

第一阶段:传统的光学装置及仪器,不能胜任对 复杂光信息高速采集和处理的要求 第二阶段:半导体集成电路技术,可以将探测器 件及电路集成在一个整体中,也可以将具有多个 检测功能的探测器件集成在一个整体中。其价格 低,体积小。例如,将图形、物体等具有二维分 布的光学图像转换成电信号的检测器件是把基本 的光电探测器件组成许多网状阵列结构,引人注 目的器件CCD就是一种将阵列化的光电探测与扫 描功能一体化的固态图像检测器件。它是把一维 或二维的光学图像转换成时序电信号的器件,能 广泛引用于自动检测、自动控制,尤其是图像识 别技术

本章讨论可以用一阶微分方程描述的电路,主要是RC电路和RL电路,介绍一阶电路的经典法,以及一阶电路的时间常数的概念。还介绍了零输入响应、零状态响应、全响应、瞬态分量、稳态分量、阶跃响应、冲击响应等重要概念

§7.1 电解质溶液的导电机理及法拉第定律 §7.2 离子的迁移数 §7.3 电导、电导率和摩尔电导率 §7.4 平均离子活度因子及德拜-休克尔极限公式 §7.5 可逆电池及其电动势的测定 §7.6 原电池热力学 §7.7 电极电势和液体接界电势 §7.8 电极的种类 §7.9 原电池设计举例 §7.10 原电池设计举例分解电压 §7.11 原电池设计举例极化作用 §7.12 原电池设计举例电解时电极反应

第0节 概述 第一节、气体放电的基本物理过程 第二节、气体介质的电气强度 第三节、绝缘子与沿面放电 第四节、液体和固体介质的电气特性

一、比例运算放大电路 二、加法、减法运算电路 三、对数、指数和乘、除运算电路 四、微分积分运算电路 五、常用特征值运算电路

第七章线性动态网络时域分析 7.1电路动态过程和初始条件 7.2一阶电路的零输入响应 7.3一阶电路的零状态响应 7.4一阶电路的全响应 7.5一阶电路的阶跃响应 7.6一阶电路的冲击响应

本章用相量法分析线性电路的正弦稳态响应。主要内容有:阻抗和导纳、电路的相量图、电路方程的相量形式、线性电路定理的相量描述和应用、瞬时功率、平均功率、无功功率、视在功率、复功率最大功率传输、谐振以及电路的频率响应

本章讨论可以用一阶微分方程描述的电路,主要是RC电路和RL电路,介绍一阶电路的经典法,以及一阶电路的时间常数的概念。还介绍零输入响应、零状态响应、全响应、阶跃响应和冲激响应等等