第二节 常见电路元件及约束方程 电流源、受控源、电容元件、电感元件 第三节 线性二端(单口)网络的等效 等效的概念、元件的等效、实际源电路、源的转移、含受控源电路的等效、戴文宁定理和诺顿定理

§7.1 理想的MOS结构 §7.2 MOS结构的CV特性 §7.3 非理想（实际）MOS结构

§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿

本章将讨论在热平衡条件下，半导体的基本特性及其物理基础，主要包括：平衡半导体载流子分布的物理规律；掺杂对半导体性质的影响等问题。 §3.1 本征半导体和本征费米能级 §3.2 非本征半导体 §3.3 费米能级 §3.4 重掺杂半导体 §3.5 深能级杂质和多重能级杂质

§1.1 半导体物理与微电子学的关系 §1.2 微电子学与半导体物理发展之间关系 §1.3 集成电路技术的发展规律 §1.4 微电子技术发展趋势和面临的挑战 §1.5 本课程的定位和内容安排

§8.1 狭义相对论基本原理 §8.2 相对论时空度量的相对性 §8.3 狭义相对论时空变换及其推论 §8.4 相对论动力学

§6.1 流体静力学 §6.2 流体运动学和质量守恒 §6.3 理想流体的定常流动 §6.4 粘滞流体的流动

§4.1 角动量定理 §4.2 对称性与守恒律 §4.3 天体运动

2.1 牛顿定律 2.2 相互作用力 2.3 力学相对性原理 2.4 惯性力 2.5 动量定理

A 行列式 B 矢量的代数运算 C 一元函数微积分 D 多元函数微积分