第5章静电场中的电介质 5.1~5.3(自学) 5.4~5.5电容器和它的电容电容器的能量

第一章 矢量分析 梯度、散度、旋度、亥姆霍兹定理 第二章 静电场 电场强度、电位、介质极化、场方程、边界条件、能量与力 第三章 静电场的边值问题 电位微分方程，镜像法，分离变量法。 第四章 恒定电流场 电流，电动势，电流连续性原理，能量损耗 第五章 恒定磁场 磁通密度，场方程，边界条件 第六章 电磁感应 电磁感应定律，自感与互感，磁场能量与力。 第七章 时变电磁场 位移电流，麦克斯韦方程，边界条件，位函数，能流密度矢量，正弦电磁场，复能流密度矢量。 第八章 平面电磁波 理想介质中的平面波，平面波极化特性，平面边界上的正投射，任意方向传播的平面波的表示，平面边界上的斜投射，各向异性媒质中的平面波

一、电波传播历史与发展 二、基本原理与概念 三、自由空间电波传播 四、传输媒质对电波传播的影响 五、无线电系统的信道及传播效应 六、传播方式与传播机制

第六章非正弦周期电流电路 第一节非正弦周期信号 第二节非正弦周期函数的分解 第三节非正弦周期量的有效值、平均值及非正弦周期电流电路的平均功率 第四节非正弦周期电流电路的计算 第六章小结

§10.1 分解电压 §10.3 电解时电极上的竞争反应 §10.2 极化作用 §10.4 金属的电化学腐蚀、防腐与金属的钝化 §10.5 化学电源 *§10.5 电有机合成简介

• 信号 • 电信号源的电路表达形式 1.1.1 电子系统 1.1.2 信号及其频谱 1.1.3 模拟信号和数字信号 • 电信号的时域与频域表示

1. 运放负反馈比例运算电路 4. 积分电路 5. 微分电路 3. 减法电路 2. 加法电路

电阻电路 静态、即时,激励响应VCR为代数方程,响应仅 由激励引起,与过去和即将出现的激励情况无关 动态电路 动态、过渡过程,激励响应VCR为微分方程,响 应与激励的全部历史有关

• 直流偏置电路 • 静态工作点 • FET小信号模型 • 动态指标分析 • 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较