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多段塞等渗阻调驱复杂渗流
文档格式:PDF 文档大小:635.02KB 文档页数:6
由于复杂地质条件的约束,油藏非均质性较强,水驱油过程中各渗流通道阻力差异大,流体容易沿渗流阻力小的高渗透率通道流动,这就造成储层波及范围小、动用程度低.为了控制渗流场各渗流通道的阻力,尽可能使各渗流通道阻力相同,提出了多段塞等渗阻调控驱油方法.根据质量传输流体力学、物质平衡原理和各级化学驱段塞特征建立了等渗阻调驱复杂渗流数学模型,简化后通过积分变换求出一维多层分析解.结合实验验证和理论计算压力特征分析发现等渗阻调驱能够大幅扩大波及体积,降低含水率,动用低渗透层原油,从而大幅提高采收率
中国科技大学:《微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第九章 中断
文档格式:PPT 文档大小:579KB 文档页数:60
一、概述 二、中断原理 三、中断系统组成及其功能 四、中断响应过程 五、8086中断系统 六、8086CPU的中断管理 七、可编程中断管理芯片8259A
压铸TiC/Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg复合材料的拉伸性能
文档格式:PDF 文档大小:635.64KB 文档页数:3
利用熔铸-原位反应和压铸成形技术制备了TiC/Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg复合材料,测试了复合材料的拉伸性能.结果表明:TiC/Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg复合材料的室温极限拉伸强度为354MPa,比基体合金提高26%;260℃时复合材料的极限拉伸强度为272MPa,比基体合金提高46%.复合材料的延伸率与Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg合金相当.讨论了进一步提高熔铸一原位反应TiC/Al-9Si-1.4Cu-0.5Mg复合材料拉伸强度的途径
中国科技大学:《微机原理与接口技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 存储器原理与接口
文档格式:PPT 文档大小:641.5KB 文档页数:36
一、存储器分类 二、多层存储结构概念 三、主存储器及存储控制 四、8086系统的存储器组织 五、现代内存芯片技术
《无机化学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第七章 氧化还原反应电化学基础
文档格式:PPT 文档大小:2.19MB 文档页数:73
7.1氧化原反应的基本概念 7.2电化学电池 7.3电极电势 7.4电极电势的应用
多电子原子体系Stark效应
文档格式:PDF 文档大小:316.36KB 文档页数:4
首先证明张量展开的一般公式,其次将张量展开的一般公式应用到Stark效应中。计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元,并计算出原子在外电场中能级位移量,计算结果与曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致
《特种水产养殖学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一篇 无脊椎动物养殖(INVERTEBRATE)第一章 养蚌育珠
文档格式:PPT 文档大小:5.11MB 文档页数:78
一、珍珠的用途 是华贵的装饰品;是名贵的中药材;是化妆品的重要原料。贝壳是贝雕的原料
氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化
文档格式:PDF 文档大小:485.65KB 文档页数:5
通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体
闪速燃烧合成的Fe-Si3N4中FexSi粒子的形成机理
文档格式:PDF 文档大小:914.44KB 文档页数:5
采用SEM、EDS等手段研究了闪速燃烧合成的氮化硅铁及其原料FeSi75的组成、结构,并结合闪速燃烧合成工艺和热力学分析,揭示氮化硅铁中FexSi粒子的形成机理.结果表明:在以74μm的FeSi75氮化制备氮化硅铁过程中,金属硅和ξ(FeSi2.3)相中部分硅氮化为氮化硅,而氮化硅铁中FexSi粒子则来源于ξ相的氮化;当ξ相被氮化到其中的[Si]摩尔分数降低近25%时,[Si]的活度aSi趋于0,氮化趋于平衡,ξ相中不能被继续氮化的部分即为FexSi粒子,其Fe:Si原子比例大约为3:1;FexSi粒子的大小、均匀分布状况与ξ相颗粒粒径大小及分布状况有关
吉林电子信息职业技术学院:《电子CAD技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第4章 原理图元件库编辑
文档格式:PPT 文档大小:222.5KB 文档页数:33
第4章原理图元件库编辑 4.1元件库编辑器概述 4.2新建库及添加新元件 4.3元件库管理
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