5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.3.1 BJT放大电路的图解分析法 5.3.2 BJT放大电路的小信号模型分析法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.4.1 温度对静态工作点的影响 5.4.2 射极偏置电路 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.7.1 共射-共基放大电路 5.7.2 共集-共集放大电路 5.7.3 共源-共基放大电路 5.8 光电三极管

在实验室工艺硏究、中试放大研究及生产中都涉及化学 反应各种条件之间的相互影响等诸多因素。要在诸多因素中 分清主次,就需要合理的试验设计及优选方法,为找出影响 生产工艺的内在规律以及各因素间相互关系,尽快找出生产 工艺设计所要求的参数和生产工艺条件提供参考。 试验设计及优选方法是以概率论和数理统计为理论基础 ,安排试验的应用技术。其目的是通过合理地安排试验和正 确地分析试验数据,以最少的试验次数,最少的人力、物力 ,最短的时间达到优化生产工艺方案 试验设计及优选方法过程包括:试验设计、试验实施和 对实验结果的分析三个阶段

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.5.1 共集电极放大电路 5.5.2 共基极放大电路 5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管

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脉冲与数字电路实验是一门实践性很强的课程。通过实验培养学生掌握脉 冲与数字电路实验的技能,掌握集成电路的使用规则和实验电路的布线方法。 要求学生在实验原理指导下,熟悉和掌握常用中、大规模集成电路的功能和在 实际中应用的方法,具备基本电路的设计能力。培养学生检查与排除电路故 障、分析和处理实验结果、分析误差和撰写实验报告的能力;培养学生具备正 确使用双踪示波器、脉冲信号发生器、数字频率计等常用电子仪器的能力;培 养学生工程设计和组织实验的能力,使学生初步掌握小型数字系统的设计,包 括选择设计方案、进行电路的设计、安装、调试等环节

现有的大坝整体性态评价方法以定性评价为主，主观性较强.针对这一问题，以单测点监控模型的计算值与监测仪器实测值之间的残差为基础，提出采用多测点融合残差表征大坝整体性态.结合信息熵理论研究了不同测点的残差变化规律，从而对各测点残差的融合权重进行了分配，计算了融合残差.通过对融合残差进行分布分析，利用逆向云发生器、正向云发生器建立了表征大坝不同性态的概念云，即评价标准.在此基础上，结合云相似度算法，建立了大坝整体性态的评价模型.算例表明，该模型能够有效识别大坝监测资料中的异常测值，并能够定量、客观地评价大坝整体性态，评价结果合理、可靠，可为保障大坝安全运行提供重要参考

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