《三极管资料》场效应管参数表(2SJ)

备注栏中“*”表示带阻尼

《模拟电子技术》课程教学资源（PPT讲稿）半导体三极管、基本放大电路

《三极管资料》IRF场效应管（IRF）

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

1、PN结的原理和二极管的等效电路。 2、半导体内部载流子运动规律。 3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

2-1.简述二极管、三极管的开关条件。 2-2.反相器如图题2-2所示。在Un、U一定的情况下,定性回答下列问题。 (1)为提高输入低电平时的抗干扰能力,R1、R2、-U应如何选取? (2)为提高输入高电平时的抗干扰能力,R1、R2、-uc、B、应如何选取?

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、c的对地电位分别为a=-9v,VB= 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

3.4小信号模型分析法 3.4.1BJT的小信号建模 1.H参数的引出 2.H参数小信号模型 3.模型的简化 4.H参数的确定 3.4.2共射极放大电路的小信号模型分析

3.7放大电路的频率响应 复习频率响应的基本概念 1为什么要研究频率响应 原因1:实测表明Av是f的函数,对不同频率信号的放大程度不同