为制备高质量的声表面波器件,探索金刚石薄膜的沉积工艺,采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积技术和特殊的复合衬底技术,在单晶硅衬底上制备了大面积、高质量的金刚石薄膜,成功解决了单晶硅衬底在沉积金刚石薄膜过程中产生的变形问题.研究了甲烷浓度和沉积温度对金刚石薄膜质量的影响,优化了沉积工艺.结果表明,甲烷气体体积分数为1.8%时,晶粒最为细小,同时金刚石薄膜的表面粗糙度最小,表面最为光滑.衬底温度为1000℃时生长的金刚石薄膜的晶粒尺寸较小

实验一、电子技术实验基础知 一、课程概述(内容要求) 二、基础知识(电子元器件) 三、直流仪器(数字万用表) 四、电阻、电容等元器件测量

第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线

在陡脉冲发生器电路中,杂散参数不仅影响输出波形,还影响着系统的稳定和电路元器件的安全.为了提高输出波形的质量,抑制输出脉冲的振荡,保证元器件长期可靠的运行,需要对电路中杂散参数进行有效的分析和补偿.本文通过对脉冲的实际输出波形进行分析,建立了陡脉冲发生器电路的杂散参数模型,总结出一种分析和补偿陡脉冲发生器电路中杂散参数的方法.模型的仿真结果精确地反映了实际波形,加入补偿环节后的电路实现了输出波形的无过冲

在存在多介质的高炉回旋区内,首先利用安装在风口直吹管窥视孔的电荷耦合器件(charged couple device,CCD)摄像机可以获得高炉回旋区内累积的二维温度辐射图像,然后将高炉回旋区均分成若干小块,利用数学模型近似模拟回旋区内的辐射传热过程并建立矩阵方程,通过求解方程获得高炉回旋区内的三维温度场.在模拟辐射传热过程中,本文提出了一种更有效也更符合实际生产的新方法——基于距离的高斯函数模型来模拟高炉内介质的辐射能量传播过程并获得了较好的三维温度场.由于存在波动误差以及电荷耦合器件摄像机测量误差等,所以我们通过在测量数据中添加随机误差来验证重构温度场的有效性以及稳定性.结果显示重构的三维温度场与真实温度场非常接近,误差在高炉工业允许的5%范围以内

1关键器件 以光网络构建高速、大容量的信息网络系统需要重点解决高速光传输、复用与解复用技术等问题。 (1)光纤传输 通常单模光纤(SMF)色散很大,对抑制四波混频(FWM)引起的干扰有一定作用,但需要很多的色散来补偿光纤(DCF)实践表明 SMF(G.652)和DSF(G.653)用于DWDM系统时,其自相位调制(SPM)、交叉相位调制(XPM)的危害较小,没有想象的那么严重。 过去DSF光纤的FWM干扰严重,不宜作WDM系统,然而采用拉曼放大后,其放大作用是沿光纤分布而不是集中的,因而发送的光功 率可减小,FWM干扰可降低。色散补偿是长距离大容量WDM系统必然遇到的一个问题,如果想得到一个又宽又平的波段,那么对色散 补偿器件的色散和色散斜率须有一定要求

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊二极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管

本文讨论了用于功率电子电路的晶闸管模型的建立方法。给出了一个适用于计算机辅助设计的非线性集中参数的晶闸管等效电路模型。模型的建立是基于对器件内部载流子运动的物理过程进行模拟,分析了器件的少数载流子注入;空间电荷区内部载流子的产生与复合;雪崩倍增效应;基区宽度调制效应及电荷存贮效应。将反映这些物理过程的数学公式用非线性电路元件表示,组成了由非线性电阻、电容及受控电流源所构成的晶闸管模型。利用这个模型可以分析晶闸管开关过程的动态非线性特性

什么是SMA? SMA Introduce SMA(Surface Mount Assembly)的英文缩写,中文意思是 表面贴装工程是新一代电子组装技术,它将传统的 电子元器件压缩成为体积只有几十分之一的器件。 表面安装不是一个新的概念,它源于较早的工艺,如平装和混合安装

可编程逻辑器件的支持技术: 1.互联的建立与消除。 2.设立查找表。 3.晶体管开关的控制。 连接控制: 1.熔丝(fuse):可编程点为熔丝构成连接,可高电压烧断,断开连接