2.1 数学基础 2.2 物理系统的微分方程描述 2.3 传递函数 2.4 方框图 2.5 信号流图 总结

1 微波基本测量 2 二维电场的模拟实验 3 电磁波的布拉格衍射实验 4 射频图像传输 5 偏振光实验 6 光源光谱特性的测量 7 光磁共振实验 8 半导体光电导实验 9 光栅实验 10 单色仪的标定实验 11 迈克尔逊干涉仪 12 半导体光伏效应实验 13 半导体霍尔效应实验 14 PN 结正向压降温度特性实验 15 半导体少数载流子寿命测量 16 四探针测电阻率实验

6-0教学基本要求 6-1静电场中的导体 6-2静电场中的电介质 6-3电位移有介质时的高斯定理 6-4电容电容器 6-5静电场的能量和能量密度

一、电介质对电场的影响 相对电容率 二、电介质的极化

 聚类分析的概念 一、聚类分析的基本思想 ★相似的归为一类。 ★模式相似性的度量。 ★无监督分类算法。 二、特征量的类型 ★物理量----(重量、长度、速度) ★次序量----(等级、技能、学识) ★名义量----(性别、状态、种类)  模式相似性测度  类的定义与类间距离  聚类的算法

例1 把一块相对电容率r =3的电介质， 放在相距d=1 mm的两平行带电平板之间. 放入之前，两板的电势差是1 000 V . 试求 两板间电介质内的电场强度E ，电极化强 度P ，板和电介质 的电荷面密度， 电介质内的电位 移D

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用