通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

采用SEM、EDS等手段研究了闪速燃烧合成的氮化硅铁及其原料FeSi75的组成、结构,并结合闪速燃烧合成工艺和热力学分析,揭示氮化硅铁中FexSi粒子的形成机理.结果表明:在以74μm的FeSi75氮化制备氮化硅铁过程中,金属硅和ξ(FeSi2.3)相中部分硅氮化为氮化硅,而氮化硅铁中FexSi粒子则来源于ξ相的氮化;当ξ相被氮化到其中的[Si]摩尔分数降低近25%时,[Si]的活度aSi趋于0,氮化趋于平衡,ξ相中不能被继续氮化的部分即为FexSi粒子,其Fe:Si原子比例大约为3:1;FexSi粒子的大小、均匀分布状况与ξ相颗粒粒径大小及分布状况有关

第4章原理图元件库编辑 4.1元件库编辑器概述 4.2新建库及添加新元件 4.3元件库管理

以铝硅合金和球墨铸铁为研究对象,分别采用正常热处理、室温及高温下施加脉冲电流处理的方法,研究了脉冲电流对固态金属中非金属相形态的影响.结果表明:在脉冲电流处理下,铝硅合金中粗杆状共晶硅的粒化速度加快;球墨铸铁经脉冲电流处理后,原有石墨的直径没有明显增大,石墨的平均似圆度略有增加,组织中出现了新生的球状小石墨;在脉冲电流作用下非金属相周围位错的行为及原子的扩散是决定非金属相形态的主要原因

1.课程性质及教学目的 《微型计算机原理与汇编语言程序设 计》是工科计算机及其相关专业的一门重 要的专业技术基础课程。 本课程帮助学生掌握微型计算机的 硬件组成及使用;学会运用汇编语言进行 程序设计;树立起计算机体系结构的基本 概念;为后继的软、硬件课程做好铺垫

20世纪70年代至80年代初,关于非线性模型理 论与方法的研究成为一个热点。非线性模型理论与 方法已经形成了一个与线性模型相对应的体系,包 括从最小二乘原理出发的一整套方法和从最大似然 原理出发的一整套方法,也包括随机误差项违背基 本假设的非线性问题的估计方法

2、影响氧化还原反应速率的主要因素又哪些?在分析中是否都能利用加热的办法来加 速反应的进行?为什么? 答:影响氧化还原反应速率的主要因素除反应物的性质之外,还有反应物的浓度、反应温 度等。此外,加入催化剂可以改变反应的速率。有些反应可以通过加热,提高反应温度加快 反应进行

研究了以天然石灰和天然粉石英为基本原料,添加2CaO·SiO2对合成硬硅钙石型硅酸钙保温材料的影响。结果表明,随着2CaO·SiO2加入量的逐渐增多,硬硅钙石型硅酸钙保温材料的烘干收缩率逐渐降低;当添加量由0上升到5%时,制品的烘干收缩率由2.19%降低到0.92%,制品由不合格变为合格;烘干收缩率降低的原因是2CaO·SiO2的加入促进了二次粒子形成

1.理解方差分析的概念,了解方差分析的原理; 2.掌握单因素试验的方差分析原理与方法; 3.了解双因素无重复试验的方差分析方法; 4.了解双因素等重复试验的方差分析方法 在科学试验和生产实践中,影响结果的因素往往有多个,有些因素影响较大,有

第一节 概述 第一节 两组分溶液的气液平衡 第一节 平衡蒸馏和简单蒸馏 第四节 精馏原理和流程 第五节 两组分连续精馏的计算 第六节 间歇精馏 第六节 恒沸精馏和萃取精馏