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1一门宽为a,今有一固有长度为L(L>a)的水平细杆,在门外贴近门的平面内沿其长度方向匀速运动,若站在门外的观察者认为此杆的两端可同时被拉进此门,则该杆相对于门的运动速度υ至少为多少?

1有两根相距为d的 无限长平行直导线,它们通 以大小相等流向相反的电流, 且电流均以d/dt的变化率 增长.若有一边长为d的正 方形线圈与两导线处于同一 平面内,如图所示,求线圈 中的感应电动势

一、平面极坐标 质点在A点的位置由(r,θ)来确定. 二、圆周运动的角速度

自Ox轴的原点 O作一矢量,使 它的模等于振动的 振幅A,并使矢量才 在Oxy平面内绕点 O作逆时针方向的 匀角速转动,其角 速度ω与振动频率 相等,这个矢量就 叫做旋转矢量

8.6多元函数微分学的几何应用 一、空间曲线的切线与法平面 二、曲面的切平面与法线

7.8空间直线及其方程 一、空间直线的一般方程 二、空间直线的对称式方程与参数方程 三、两直线的夹角 四、直线与平面的夹角 五、杂例

研究曲面的一种方法截痕法 了解曲面的形状的方法之一是用坐标面和平行于坐标面 的平面与曲面相截,考察其交线的形状,然后加以综合,从而了解曲面的立体形状.这种方法叫做截痕法

一、格林公式 二、平面上曲线积分与路径无关的条件 三、二元函数的全微分求积

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)