对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

3.1 微带传输线 3.2 介质波导 3.3 光纤

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

第一部分 电子束蒸发镀膜实验 第二部分 光刻实验 第三部分 刻蚀实验

2.1 电阻应变片 2.2 热电阻及热敏电阻 2.3 压敏电阻 2.4 气敏电阻 2.5 湿敏电阻 2.6 光敏电阻

9.1 光纤传感器 9.2 红外线传感器 9.3 超声波传感器 9.4 激光传感器

10.1 概述 10.2 膨胀式温度计 10.3 热电偶温度计 10.4 电阻温度计 10.5 光辐射测温方法及仪表

1.半导体的导电特性 (1)掺杂特性。 (2)热敏和光敏特性

第九章 载流子的散射 第十章 半导休中的热现象 第十一章 复杂能带中的输运现象 第十二章 强电场下的热电子 第十三章 光的吸收和反射 第十四 章磁光现象、量子磁揄运、磁共振 第十五章 半导体中的发光现象 第十六章 非晶态半导体

兰州交通大学：《现代交换技术》课程教学资源（课件讲稿，打印版）第九章 光交换