研究了一类关于浓度的三维稳态晶体生长控制方程.这类问题由于带有远场条件,无法按常规方法给出其解析解或数值解.在复数域内利用分离变量法,得到了这类方程的级数形式的解析解,而最后的解是实数形式.结果表明,固液界面前沿浓度是指数震荡衰减的

对交流电场作用下定向凝固组织的研究发现,交流电场对定向凝固组织有细化作用,且随电流的增大,其效果越明显,同时交流电场使凝固界面的溶质含量减小．通过对电场各种作用的分析发现：界面的化学势的减小使界面的稳定性增加；但界面能的增大、活度系数的减小以及界面溶质层内的震荡会使界面变薄,使界面的稳定性减小,从而破坏了胞晶的稳定生长,使柱状胞晶变成细碎的晶体．

一、BJT的结构简介： BJT常称晶体管，种类很多,但从外形看，BJT都有三个电极。 根据结构不同，BJT可分成两种类型：NPN型和PNP型。 结构上可分成： 三个区域：基区、发射区、集电 区

实验准备及常规仪器设备使用 分立元件及负反馈放大电路设计 测量放大器 晶体管输出特性曲线测试电路 模拟乘法器及调幅与检波电路 LC三点式振荡器 数字电路的FPGA应用实验 脉冲电路及其应用 综合实验 锁相环及频率调制与解调电路 运放基本应用电路

一、定义 磁敏传感器是基于磁电转换原理的传感器。1856年发现磁阻效应， 1879年发现霍尔效应60年代初开始应用。 二、分类 体型：霍尔传感器，磁敏电阻 结型：磁敏二极管，磁敏晶体管

采用Al2O3、Y2O3为助烧剂,液相烧结获得了致密的α-SiC和β-SiC陶瓷,并研究了SiC了烧结体的物相组成和微观结构.实验结果表明,Al2O3,Y2O3原位形成了YAG,材料以液相烧结机制致密化,α-SiC通过溶解和再析出机制,促进晶体生长,并形成\Core/Shell\结构.物相分析表明,β-SiC陶瓷粉末在烧结过程中发生了β→α的相变.微观结构观察显示,β-SiC陶瓷中生成了长柱状晶粒

对萤石矿物进行掺杂灼烧.制备了一种新型矿物发光材料萤石:Eu3+.根据Eu3+的荧光光谱与局域对称性的关系,结合空间群中等效点系的对称性分析,可以推断该体系中主要存在2类发光中心,其格位对称性分别为C4V,和C3V.Eu3+离子进入CaF2晶格,与Ca2+离子不等价置换,由于电荷补偿,Eu3+周围常常存在间隙Fi-的缺陷机制,间隙的存在,降低了局域对称性(由Oh降低为C4V。或C3V),打破了宇称选择定则,促进了Eu3+离子的发光

2.1 放大的概念和电路主要指标 2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路静态工作点的稳定 2.5 单管放大电路的三种基本接法 2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 2.7 场效应管放大电路

§7.1 概论 §7.2 Boltzmann 统计 *§7.3 Bose-Einstein统计和Fermi-Dirac统计 §7.4 配分函数 §7.5 各配分函数的求法及其对热力学函数的贡献 *§7.6 晶体的热容问题 §7.7 分子的全配分函数 §7.8 用配分函数计算r m G 和反应的平衡常数

采用原位化学工艺制备了ZrO2/Cu纳米复合粉末,用粉末冶金法制备了纳米ZrO2/Cu复合材料.通过TEM观察发现,氧化锆呈单斜和四方两种晶型,不同晶体形态的氧化锆颗粒与铜基体之间具有不同的界面特征.通过Ansys分析软件对不同形态即不同晶型氧化锆与铜基体的界面进行应力模拟分析,结果发现单斜晶型氧化锆的尖端部位很容易产生应力集中,且比四方晶型氧化锆界面处更容易产生裂纹