在R3中,给定四个共面向量a1,a2,3,4,它们显然是线性相关的,但它们中存在两个线性无关的向量,而任一个向量都可由这两个线性无关的向量线性表示(例如:a1,a2线性无关,a3,a4可 ,3,4 由a1,a2线性表示).此外它们中任意三个向量是线性相关的,即它们中任一个线性无关的部 分组最多只含2个向量,数2就叫作这个向量组 的秩

第1讲加工中心的加工工艺特点及刀具的选用 第2讲加工中心的固定循环指令和换刀程序 第3讲加工中心的加工实例

采用Burgers模型对排土场散粒体蠕变的减速蠕变和等速蠕变两阶段进行描述,利用分层总和法的思想,将垂直填筑的排土场进行分层处理,底层在上覆‘自重’变荷载作用下发生沉降变形,分别采用定常和非定常Burgers蠕变模型从理论解析角度推导排土场填筑动态过程中沉降、工后沉降及累计沉降计算公式.以齐大山铁矿排土场监测数据进行实例验算,应用结果表明:非定常Burgers模型和定常Burgers模型拟合的相关系数均较高,非定常Burgers模型沉降最终收敛于5.07 m,定常Burgers模型沉降曲线具有发散性,可见非定常Burgers模型能更好地表述排土场沉降真实工况;将排土场分为十个分层,结合FLAC3D软件的蠕变数值分析计算,得出各单层沉降率的变化规律,即各单层工后沉降量上层沉降值小于下层和中间层,且上层沉降量呈现单调递减变化,越接近排土场顶部单层沉降量越小;中间层沉降量相对下层沉降量要大,其中第5单层的沉降量最大

采用Gleeble-1500热模拟试验机对FGH96合金进行双道次真应变量为0.6＋0.6和0.3＋0.9的等温间断热压缩试验,研究了变形温度为1050~1125℃、变形速率为0.001~0.1 s-1时合金的热变形行为和组织演变.热变形过程中合金发生了再结晶,第一道次较小的真应变量减轻了合金的开裂.当第一道次真应变量小时,随着温度和变形速率的上升,合金道次间再结晶软化率增加.不同应变量以及不同道次真应变量均对合金热加工图产生明显影响.在相同变形条件下,当能量耗散率随应变量的增加而下降时,合金中组织由细晶向粗晶转变,反之则由粗晶向细晶转变;当能量耗散率不随应变量的变化而变化时,能量耗散率低于20%的合金中出现大量的不完全再结晶组织,能量耗散率高于35%的合金中出现细小完全再结晶组织

1排序 排序是数据处理中经常使用的一种重要运算,如何进行排序,特别是如何进行高效的 排序,是计算机应用中的重要课题。排序的对象一般是一组记录组成的文件,而记录则是 由若干数据项组成,其中的一项可用来标志一个记录,称为关键字项,该数据项的值称为 关键字 所谓排序,就是要整理文件中的记录,使得它按关键字递增(或递减)的次序排列起来

为了揭示煤中官能团活性大小顺序,采用原位傅里叶红外光谱法对北皂褐煤进行漫反射测试,分析了褐煤中各官能团的分布比例.基于各官能团同等构连条件建立了褐煤的红外简化化学结构模型,并对模型进行了量子化学分析.煤中主要活性官能团以甲基亚甲基和羟基最多,其次是羰基、羧基和芳烃上的碳氢键.通过模型的振动频率和前沿轨道分析,得出实验和计算结果所示各官能团振动位置相一致.结合各官能团含量和活性大小可知,煤自燃过程中关键性的官能团是羟基和甲基亚甲基基团,其次是羧基

用磁性测量、透射电镜、Kerr磁光效应观测和分析了Sm（CoCuFeZr）7.4合金经固溶处理后,等级时效处理后的磁性、显微组织结构和畴结构。研究了该合金在600℃～1050℃温度范围内恒温时效过程中矫顽力和显微结构的变化,某些样品磁性能达到:Br≥11.5KGs,BHc≥5.4KQe,（B.H）m≥30.5MGsQe合金在高矫顽力状态下的显微组织为胞状。等级时效过程中第一级时效（830℃3分）就形成了胞状组织,在随后降低温度的时效过程中,虽然矫顽力由2.8KOe提高到5.3KOe,但显微组织结构基本保持不变,矫顽力的提高与两相成份差增加有关。在800℃长时间恒温时效,胞状组织要破坏,第二相变成片状,在650℃以下时效600分钟,bHc随时效时间线性地变化,并且矫顽力的变化很小,680℃以上恒温时效矫顽力达到峰值后的降低可能与胞状结构的破坏有关。随时效温度的升高,出现矫顽力峰值的时间缩短。时效过程的扩散激活能为34000卡/克原子度。1050℃没有时效效应

1.①试证明:当n≥p时,算法6.1的时间复杂度为logn p ②令表示P中第j段中的元素数,试证明算法61在执行过程中,处理器中所积累 的元素数目不会超过2n/p,即∑<

一、色谱定性鉴定方法 1.利用纯物质定性的方法 利用保留值定性:通过对比试样中具有与纯物质相同 保留值的色谱峰,来确定试样中是否含有该物质及在色谱 图中位置。不适用于不同仪器上获得的数据之间的对比。 利用加入法定性:将纯物质加入到试样中,观察各组 分色谱峰的相对变化

理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质,半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中的空穴