7.1半导体的基本知识 7.2PN结及其特性 7.3半导体二极管 7.4特殊二极管 7.5整流电路 7.6滤波电路 7.7硅稳压管稳压电路

第三章电路的一般分析方法 3.12b法和支路电流法 3.2网孔分析法 3.3节点分析法

通过干湿周浸加速实验方法、扫描电镜观察和电化学阻抗谱测试技术,研究了2A12铝合金的初期腐蚀规律与电化学行为.实验结果表明,干湿周浸48h后,所有Cl-溶液中试样都发生了明显的点蚀.提高Cl-含量可以促进点蚀的形成和发展,同时腐蚀产物增多.当Cl-含量低时,腐蚀过程主要受电荷转移电阻控制;随Cl-含量增加,其电化学特征转变为受电荷转移电阻和Warburg阻抗扩散混合控制

通过对Cu-0.2%Al合金施加直流、交流和脉冲电场发现,Cu液中溶质Al的活度系数随电场强度的增加,呈不同程度的减小趋势.为了进一步研究溶质Al的活度减小的原因,对Al-5%Cu合金在熔融状态下进行了液态淬火.通过淬火后的金相组织观察发现,电场作用下液态金属的结构发生了明显的变化,溶质在合金溶液中的分布发生了沿某一个方向聚集的现象.从而揭示了电场作用下二元系合金中溶质活度变化的本质,并在此基础上建立了电场作用下二元系合金中溶质活度变化的理论模型

采用Maker条纹测试方法,首次在电场-温度场极化GeS2-Ga2S3-PbI2准三元体系硫卤玻璃中观察到了明显的二次谐波发生(SHG).对于70GeS2·15Ga2S3·15PbI2组分玻璃,详细研究不同极化电压、极化温度和极化时间对二次谐波(SH)强度的影响,发现当极化温度高于190℃,电压高于4.0kV时,可以观察到SHG并且SH强度随极化电压与时间的升高而增大直至饱和.在6kV极化40min的条件下,SH强度随极化温度的升高先增大后减小.在6kV、250℃、40min的最佳极化条件下,70GeS2·15Ga2S3·15PbI2玻璃的二阶非线性极化率χ(2)达到最大值4pm·V-1.根据偶极子取向模型,讨论了二次谐波效应的机理是该硫卤玻璃中偶极子在高温条件下摆脱网络束缚沿外加电场方向取向调整,从而破坏了玻璃的宏观各向同性所致,并定性解释了极化条件对玻璃二阶光学非线性效应的影响

①主电路保护的设置 这里所讲的保护，主要是针对电源变换装置里 的器件，需要保护的状态包括：过电压、过电流、 过热等

4.1三相电压 4.2负载星形联结的三相电路 4.3负载三角形联结的三相电路 4.4三相功率

根据第9、10节设 计如图所示三相逆变器 输出电路中，L的电感 量约为185.333微亨

10、根据开关器件中流过的电流选开关器件 开关器件中流过的电流为：

典型输出电路基波电压传输特性可用以下表达式描述：