以碳热预还原和氢气深还原两步制备的纳米钨粉作为烧结原料，即先通过碳黑还原脱除三氧化钨中的大部分氧，再以氢还原脱除残留的氧。该方法制备的钨粉颗粒呈球形形貌，平均晶粒度可达90 nm。同时，向钨粉中掺杂质量分数为1%和2%的氧化铝，探究了氧化铝对钨粉烧结行为的影响。通过烧结样品的断口形貌和晶粒的平均尺寸分析发现，氧化铝对烧结后期的晶粒长大有明显的抑制作用，相同的烧结温度下晶粒的尺寸随着氧化铝含量的上升而减小。在1600 ℃时，纯钨粉烧结坯的晶粒平均尺寸为2.75 μm，但添加质量分数为1%和2%氧化铝的烧结样品晶粒平均尺寸约为1.5 μm，这是由于氧化铝能有效地抑制烧结后期的钨粉晶粒长大。纯钨粉和掺杂氧化铝钨粉的烧结坯的硬度随温度升高具有不同的趋势。掺杂钨粉烧结坯的硬度随着温度的升高而升高，且其最大值高于800 HV。但是，纯钨粉烧结坯的硬度随烧结温度增加而先增加后降低，在1400 ℃时取得最大值（473.6 HV），这是由纯钨粉烧结坯的晶粒在高温下急剧长大所导致。在烧结温度为1600 ℃时，纯钨粉、掺杂质量分数1%和2%的氧化铝掺杂的钨粉的烧结坯的相对密度依次为98.52%、95.43%和93.5%

一、填空题(共17题45分) 1.5分(1685) 1685 在298.15K时,F2分子的转动惯量=32.5×1047gm2,h=6.626×10-3j.s,则此F2分 子的转动配分函数q=,F2气体的摩尔转动熵

研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题

一、选择题(共5题25分) 1.5分(1402)1402 在N个NO分子组成的晶体中,每个分子都有两种可能的排列方式,即NO和ON,也可将晶体视为NO和ON的混合物,在0K时该体系的熵值:() (A)S=0 (B)So= (C)=Nkin2 (D)So=2kInN

一、选择题(共8题40分) 1.5分(1436)1436 体系中若有2%的Cl2分子由振动基态到第一振动激发态,Cl2分子的振动波数5569cm,则该体系的温度为() (A)2060k(B)1000K(C)3000KD)206K

§2-1 几何构造分析的几个概念 §2-2 几何不变体系的组成规律 §2-3 几何构造分析方法 §2-4 瞬变体系 §2-5 分析几何构造举例

❖ 基于分组的传送平台； ❖ 呼叫／会话控制与承载的分离、业务／应用与呼叫／会话、承载的分离； ❖ 业务与网络的分离及开放接口的规定； ❖ 支持各种业务（包括实时与非实时业务、单一业务与多媒体业务）； ❖ 包括接入网在内的端到端透明传输的宽带能力； ❖ 可与现有网络互通； ❖ 支持广泛的移动性

1联系原子核外电子运动的特征,了解波函数、四个量子数和电子云的基本概念,了解波函数和电子云的角度分布示意图。 2掌握周期系元素的原子的核外电子分布的一般规律及其与周期表的关系,明确原子(及离子)的外层电子分布和元素分区的情况。联系原子结构了解元素的某些性质的一般递变情况

3-1概述 3-2平面四杆机构的基本类型及其演化 3-3平面四杆机构有曲柄的条件及几个基本概念 3-4平面连杆机构的运动分析 3-5平面连杆机构的力分析和机械效率 3-6平面四杆机构的设计 3-7机器人操作机——开式链机构及其运动分析

第八章决策判断分支结构 一、决策判断分支结构概述 二、决策判断分支结构的设置