集成运放的原理框图 集成运放是一种高放大倍数、高输入电阻、低输出电阻的直接 耦合放大电路。为抑制零点漂移，对温漂影响最大的第一级采 用了差动放大电路。为提高放大倍数，中间级一般采用有源负 载的共射放大电路。输出级为功率放大电路，为提高此电路的 带负载能力，多采用互补对称输出级电路

1-36台直流电动机,电枢电流为154A,2P=4,单波S=27,每元件匝数Wy=3, 每极磁通量等于0025Wb,问电机的电磁转矩为多少?若同样元件数,绕组改为单迭,极 数于励磁不变,电磁转矩又为多少?

1.1 电路模型 1.2 电路变量 1.3 电阻元件 1.4 电源元件 1.5 基尔霍夫定律 1.6 电阻的串联和并联 1.7 实际电源模型

实验一 受控源VCCS、CCVS的实验研究 实验二 戴维南定理和诺顿定理 实验三 电路元件伏安特性的测绘 实验四 RC一阶电路的响应测试 实验五 日光灯电路功率因数提高方法的研究 实验六 R、L、C串联谐振电路的研究 实验七 R、L、C元件阻抗特性的测定 实验八 三相交流电路 实验九 基尔霍夫定律的验证 实验十 叠加原理的验证

本章重点是关联矩阵、基本回路矩阵及基本割集矩阵等几种基本矩阵的列写及其相互间关系。 1. 掌握割集的概念，熟练写出电路关联矩阵A、回路矩阵B、割集矩阵Q； 2. 掌握复合支路的概念； 3. 学会用矩阵形式列写回路电流方程、结点电压方程和割集电压方程；

整流－将交流电变为直流电的过程； 整流电路－将交流电变为直流电的电路；

通过Gleeble热模拟实验机模拟了X100管线钢的粗晶热影响区（CGHAZ）及再热临界粗晶热影响区（ICCGHAZ）微观组织。采用电化学测试、浸泡实验及表面分析技术研究了交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ在库尔勒土壤溶液中的腐蚀行为。结果表明：交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ都表现为活性溶解，平均腐蚀速率随交流电流密度的增大而增加。交流干扰造成的极化电位振荡幅值及微观组织对X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ的平均腐蚀速率和腐蚀形貌有着重要影响。在5 mA·cm?2交流电流密度干扰下，母材的腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，ICCGHAZ的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都居中；在20 mA·cm?2及50 mA·cm?2交流电流密度干扰下，ICCGHAZ腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，母材的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都仍居中。在20 mA·cm?2交流电流密度交流干扰下，X100管线钢发生局部腐蚀，CGHAZ、ICCGHAZ发生明显的晶界腐蚀，GCHAZ晶界腐蚀形貌呈缝隙状、ICCGHAZ晶界腐蚀形貌为连续孔洞

为揭示各种行波磁场铸流搅拌的电磁冶金效果，基于计算域分段法建立了断面1280 mm×200 mm板坯连铸电磁、流动、传热和凝固的耦合模型，利用电气参数和磁感应强度的实测值和预测值的对比验证了模型的可靠性。研究表明：行波磁场搅拌器因电磁推力的方向性特点在板坯二冷区搅拌过程中均表现有不同程度与特征的端部效应，辊后箱式搅拌器(Box-typed electromagnetic stirrer, B-EMS)的单侧安装形式导致板坯内弧侧磁感应强度远大于外弧侧，辊式搅拌器(Roller-typed electromagnetic stirrer, R-EMS)的对辊安装形式则使磁感应强度呈现对称分布。在400 kW和7 Hz的相同电气参数下，R-EMS的电流强度比B-EMS高75 A；尽管箱式电磁搅拌的有效作用区域较辊式电磁搅拌大，铸坯中心钢液过热耗散区域大，但辊式搅拌推动钢液冲刷凝固前沿形核作用则明显大于箱式搅拌。两者均具有较好的抑制柱状晶生长、促进凝固前沿等轴晶形核与发展的能力，将不锈钢板坯等轴晶率提高至45%的门槛值以上，其中间隔型反向辊式搅拌器下的等轴晶率比箱式搅拌高约17%。综合表明，基于行波磁场铸流搅拌的间隔型反向辊式搅拌器有望更好地消除铁素体不锈钢板材表面皱折缺陷

晶闸管（Silicon Controlled Rectifier 简称SCR）是在60年代发展起来的一种 新型电力半导体器件，晶闸管的出现起到了弱电控制与强电输出之间的桥梁作用

建立了煤岩受载破坏声电全波形同步采集系统, 对煤样单轴压缩破坏过程中的声电信号进行了全波形采集, 研究了声电信号能量与载荷降之间的相关关系, 并分析了声电信号的频谱特征. 结果表明: (1)煤体受载破坏过程中产生显著的声电信号; 电磁辐射信号是阵发性的, 仅伴随载荷降和较高强度声发射信号出现; (2)相对于声发射, 电磁辐射与载荷降有更好的相关性; 与煤体受载破坏的能量释放累积量相关联的声电信号能量和载荷降累计值三者之间均呈高度正相关; (3)电磁辐射优势频带窄于声发射, 前者主要集中在1~25 kHz, 后者主要集中在1~280 kHz; 受同一裂纹萌生和扩展的影响, 两者在频谱和主频分布上都有近似的低频成分