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第1章晶体二极管 1.0概述 1.1半导体物理基础知识 1.2PN结 1.3晶体二极管电路分析方法 1.4晶体二极管的应用
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2.1半导体的基本知识 2.2PN结的形成及特性 2.3半导体二极管 2.4二极管基本电路及其分析方法 2.5特殊二极管
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一、工艺特点: 二、发射区掺杂浓度高 三、基区很薄且掺杂浓度低 四、集电结面积大
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1―1 半导体物理基础知识 1―2 PN结及晶体二极管 1―3 晶体二极管及其基本电路
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1.六管单元 (1)组成 T1、T3:MOS反相器53 T2、T4:MOS反相器
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浙江大学网络教育课程:《电力电子技术》教学资源(PPT课件)第一章 功率半导体器件 2.绪论
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浙江大学网络教育课程:《电力电子技术》教学资源(PPT课件)第二章 功率半导体器件的驱动与保护 5.驱动
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浙江大学网络教育课程:《电力电子技术》教学资源(PPT课件)第二章 功率半导体器件的驱动与保护 7.晶闸管保护(2)
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管(自学)
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一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性
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