一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺（Etch Process） 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术

它是20世纪80年代初,由美国国防部为其超 高速集成电路 VHS计划提出的硬件描述语言, 它支持硬件的设计、综合、验证和测试。 IEEE于1987年公布了VHDL的标准版本(IEEE STD1076/1987),1993年重新公布了新的标准 (IEEE STD1076-1993)

1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件

绪论部分教学内容的重点：了解半导体工业的形成及发展历史；了解半导体工业由半导体技术阶段过渡到微电子技术阶段的技术特征；掌握微电子时代的技术特征和当代微电子产业的技术水平。该部分教学内容的难点：当代微电子技术产业发展的内在驱动因素及各因素间的技术链作用

§1.1 半导体物理与微电子学的关系 §1.2 微电子学与半导体物理发展之间关系 §1.3 集成电路技术的发展规律 §1.4 微电子技术发展趋势和面临的挑战 §1.5 本课程的定位和内容安排

一、模拟的应用 1、工程设计 2、虚拟环境 3、模型验证 二、课程原理 三、问题实例 1、集成电路的功率分配 2、空间结构的受力关系 3、插件的温度分布

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管

可编程控制器 PC （ Programmable Controller ）又称可编程逻辑控制器 PLC （Programmable Logic Controller），是微机技术与继电器常规控制技术相结合的产物，是 在顺序控制器的基础上发展起来的新型控制器，是一种以微处理器为核心用作数字控制的专 用计算机。 70 年代初，由于计算机技术和集成电路的迅速发展，美国首先把计算机技术应用到控 制装置中

 Turing及Turing Award  历届图灵奖得主概览  人类对智力延伸的追求  对图灵奖的另类解读  CS与EE的未来研究热点