概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、MOS晶体管模型 二、组合逻辑基本结构 三、逻辑单元的优化设计 四、组合单元的规模约束问题 五、时序逻辑的时间关系问题

2.1放大的概念和电路主要指标 2.7场效应管放大电路 2.6晶体管基本放大电路的派生电路 2.5单管放大电路的三种基本接法 2.4放大电路静态工作点的稳定 2.3放大电路的分析方法 2.2基本共射放大电路的工作原理

5.1放大电路的频率特性 引言 5.1.1简单RC低通和高通电路的频率特性 5.1.2晶体管以及其单级放大电路的频率特性 5.1.3集成运算放大器高频参数及其影响

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊二极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管

第21章门电路和组合逻辑电管电路 21.1脉冲信号 21.2晶体管的开关作用 21.3分立元件门电路 21.4TTL门电路 21.5MOS门电路 21.6逻辑代数 21.7组合逻辑电路的分析与综合 21.8加法器 21.9编码器 21.10译码器和数字显示 21.10数据分配器和数据选择器 21.12应用举例

项目一计算机基础知识 任务1了解计算机 1、计算机的发展过程 第一台电子计算机:美国宾夕法尼亚大学,1946年2月,命名为“ENIAC” 第一代(46-57年):以电子管为逻辑元件。 第二代(58-64年):以晶体管为逻辑元件。 第三代(65-71年):以集成电路为主要功能器件。 第四代(72—至今):将CPU、存储器及各接口做在大规模集成电路芯片上

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体极管 1.3特殊ニ极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管