§1.8.1 基本指标 §1.8.2 功率放大器设计原则 §2.1微波混频器件 §2.2肖特基势垒二极管 §2.3非线性电阻混频原理 §2.4微波混频器电路

5.1 频率响应概述 5.2 晶体管的高频等效模型 5.4 单管放大电路的频率响应 5.5 多级放大电路的频率响应 5.3 场效应管的高频等效模型 5.6 集成运放的频率响应和频率补偿

本章纲要: 1.被动组件电路仿真与分析 2.RC电路仿真与分析 3.RLc电路仿真与分析 4.整流电路仿真与分析 5.LED电路仿真与分析 6.基本晶体管电路仿真与分析 7.无稳多谐振荡电路仿真与分析 8.高通电路模拟与分析 9.555电路仿真与分析 10.基本逻辑闸仿真与分析 11.正反器模拟与分析 12.4017模拟与分析

4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、MOS晶体管模型 二、组合逻辑基本结构 三、逻辑单元的优化设计 四、组合单元的规模约束问题 五、时序逻辑的时间关系问题

2.1放大的概念和电路主要指标 2.7场效应管放大电路 2.6晶体管基本放大电路的派生电路 2.5单管放大电路的三种基本接法 2.4放大电路静态工作点的稳定 2.3放大电路的分析方法 2.2基本共射放大电路的工作原理

5.1放大电路的频率特性 引言 5.1.1简单RC低通和高通电路的频率特性 5.1.2晶体管以及其单级放大电路的频率特性 5.1.3集成运算放大器高频参数及其影响

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

第一章半导体器件 1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊二极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管