为研究风化壳淋积型稀土矿浸出过程中溶液渗流作用对孔隙结构的影响，以去离子水为溶浸液开展浸矿实验。对浸出前后矿样进行显微CT扫描，获取了试样内部结构图像，利用阈值分割算法得到了浸出前后稀土矿样的孔隙结构图像。进而，研究了溶液渗流作用下试样孔隙结构的变化特征，分析了渗流作用对试样孔隙率、孔隙体积、孔隙长度、孔隙宽度和孔隙方位角等参数的影响。结果表明：稀土矿孔隙形状和尺寸在渗流作用下发生显著变化，且在粗细颗粒接触区最为明显；溶液渗流作用使得稀土矿孔隙率增大，孔隙总数量减少，孔隙总体积增大。渗流作用下矿样中小孔隙数量减少，大孔隙数量增多，各尺寸区间的孔隙数量变化率随孔隙尺寸的增大呈现先增大后减小的趋势。溶液渗流作用下孔隙长宽比分布更加集中，孔隙方位角在各角度区间的分布更加均匀，孔隙各向异性增强

利用动电位极化、电化学阻抗、恒电位极化以及恒电流极化等电化学测试手段，并结合扫描电镜进行点蚀形态观察，探究了含Cl－溶液中SO2－4浓度对316L奥氏体不锈钢的钝化行为及点蚀行为的影响．结果表明，含Cl－溶液中SO2－4的加入能够使316L不锈钢钝化区变宽，使点蚀电位变正，维钝电流密度降低，进而提高316L的耐点蚀能力．但是在点蚀发生后，随着SO2－4浓度的升高，点蚀内部和边缘形态表现出更为复杂的趋势，蚀坑的周长面积比明显增大．

在对煤层深孔聚能爆破致裂分区研究的基础上, 针对聚能爆破煤层裂隙扩展特征及范围进行了数值模拟研究.结果表明, 炮孔周围可划分为爆破压碎区、爆破裂隙区和弹性变形区, 根据裂隙类型及裂隙数目的差异, 爆破裂隙区又可划分为裂隙密集区和主裂隙扩展区.受聚能装药结构的影响, 压碎区的范围呈聚能罩开口方向小于其他方向的类椭圆状; 裂隙密集区和主裂隙扩展区的范围均呈聚能罩开口方向大于其他方向的类椭圆状.煤层深孔聚能爆破致裂增透工程试验发现, 随着远离炮孔, 各个观察孔内瓦斯体积分数增幅受聚能爆破的影响呈\强-中-弱\阶梯状变化, 与所构建的聚能爆破致裂分区模型比较一致, 即聚能爆破载荷下煤层裂隙具有明显的分区特征, 压碎区、裂隙密集区和主裂隙扩展区组成了煤层深孔聚能爆破的有效致裂范围

选取溶液质量浓度、溶液喷洒量以及外部风速作为变量，通过室内试验考察了常规卤化物和高分子材料对扬尘控制的效果。以抗风蚀能力和结壳抗破坏能力为响应变量。结果表明，随着抑尘剂浓度的增加和喷洒量的增加，结壳的抗风蚀性和抗破坏性可以得到提高。在卤化物溶液中，CaCl2的抑尘性能最好。在风速为7.5 m·s?1的条件下，CaCl2喷洒量为4.5 L·m?2，且其质量浓度为50 g·L?1时，尾矿质量损失量为0.75 g·m?2·min?1，贯入阻力为466 kPa。在高分子材料中，聚丙烯酰胺的抑尘效果最好。在风速为7.5 m·s?1的条件下，聚丙烯酰胺喷洒量为4.5 L·m?2，且其质量浓度为0.5 g·L?1时，尾矿质量损失量为0.30 g·m?2·min?1，贯入阻力为248 kPa。抑尘剂的选取可根据当地年均风速确定，年均风速较大时，可选择聚丙烯酰胺作为尾矿库抑尘剂，反之则可选择CaCl2为尾矿库抑尘剂

1.什么是镧系收缩?对第六周期元素的性质有何影响? 2.在什么情况下镧系元素的性质随原子序数的增加而逐渐单调地变化?什么情况下性质的 变化出现两个峰值或谷值?

一、岩溶塌陷的概念及产生原因 岩溶地面塌陷是指覆盖在溶蚀洞穴之上的松散土体,在外动力或人为因素作用下产生 的突发性地面变形破坏,其结果多形成圆锥形塌陷坑。 岩溶地面塌陷是地面变形破坏的主要类型多发生于碳酸盐岩、钙质碎屑岩和盐岩等 可溶性岩石分布地区。激发塌陷活动的直接诱因除降雨、洪水、干旱、地震等自然因素 外,往往与抽水、排水、蓄水和其他工程活动等人为因素密切相关,而后者往往规模大、 突发性强、危害也就大

9.4.1含水层与地下水类型划分 吉林省西部地区为一个完整的地下水系统,根据含水层特点又可分为第四系孔隙含水 层系统、第三系孔隙裂隙含水层系统和白垩系裂隙孔隙含水层系统。 洮儿河扇形地是吉林省白城市附近的大型山前扇形地,面积2800km2该扇形地从镇 西向南东方向呈扇状撒开,地形由扇顶向扇前倾斜,坡度由大逐渐变小;地层岩性由中更 新统、上更新统砾卵石组成(构成强透水层,厚度10~40m,中部厚度大,向两侧边 缘厚度变小,大部地段砾卵石几乎裸露于地表地表为不连续分布的黏性土,厚度多数小 于2m,到扇形地前缘黏性土连续分布,厚度增大至2~10m;下伏基岩为泥岩,构成区域 隔水底板

第一节代谢总论 代谢(metabolism)活细胞中所有化学 变化的总称。每一变化均为酶催化 物质代谢 能量代谢 中间代谢(代谢中的一系列的酶促反应) 代谢的研究方法中间代谢的研究方法 同位素示踪法(常用放射性同位素)

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

前几章讨论的函数y=f(x),是因变量与一个自变量 之间的关系,在此关系中,因变量的值只依赖于一个自 变量,称这类函数为一元函数.但在许多实际问题中往 往需要研究因变量与几个自变量之间的关系,这时因 变量的值依赖于几个自变量