深锥浓密机的面积或占地大小主要由其固体通量决定。通过量筒静态沉降实验，计算得到深锥浓密机固体通量，分析了絮凝剂单耗、料浆浓度对深锥浓密机固体通量的影响，得到了两种因素对深锥浓密机固体通量的影响规律。结果表明，尾矿在5～30 g·t?1的絮凝剂单耗下，基本呈现二次函数关系；料浆的固相质量分数为6%～26%时，固体通量呈现先增大后减小的趋势，与实验所得的规律相契合。通过对絮凝剂单耗和料浆浓度耦合效应下的固体通量方程回归分析，得到三者之间的数学关系，进而确定二者对固体通量的贡献为：料浆浓度>絮凝剂单耗。结合絮凝剂及料浆浓度对固体通量的影响分析，总结了絮凝剂单耗和料浆浓度贡献值不同的原因。最后，结合单因素和耦合条件下的数学方程，对深锥浓密机的设计和运行提出工程建议。在深锥浓密机运行过程中，需要优先保证料浆浓度，其次是絮凝剂单耗

第一节 肿瘤的概念 第二节 肿瘤的形态 第三节 肿瘤的分化与异型性（atypia） 第四节 肿瘤的命名与分类 第五节 肿瘤的生长与扩散 第六节 肿瘤的分级与分期 第七节 肿瘤对机体的影响 第八节 良性肿瘤与恶性肿瘤的区别 第九节 癌前期病变、非典型增生、原位癌 第十四节 常见肿瘤举例 第十节 肿瘤的发病学 第十一节 环境致瘤因素 第十二节 遗传与肿瘤 第十三节 肿瘤免疫

通过在Na2SiO3-KOH基础电解液中加入石墨烯添加剂,在镁锂合金表面制备出一层自润滑的含碳陶瓷层. 利用扫描电镜、原子力显微镜以及X射线衍射仪分析了陶瓷层的表面形貌、粗糙度以及物相组成,利用摩擦磨损试验仪对陶瓷层在室温下的摩擦学性能进行研究. 其结果表明,加入石墨烯后制备出的含碳陶瓷层表面放电微孔分布均匀,且其微孔尺寸和表面粗糙度均明显降低. 相比于镁锂合金,陶瓷层的表面硬度也得到明显的提高. 此外,含碳陶瓷层主要由SiO2、Mg2SiO4以及MgO物相组成,而石墨烯则以机械形式弥散分布于陶瓷层中并起到减摩作用. 当石墨烯体积分数为1%时,陶瓷层表面显微硬度为1317.6 HV0.1 kg,其摩擦系数仅为0.09,其耐磨性明显提高. 同时,陶瓷层磨痕的深度和宽度均明显小于镁锂合金,而且较为光滑,表明陶瓷层表面没有发生严重的黏着磨损

一、词法分析与词法分析程序 1.词法分析的任务是识别源程序中具有独立含义的最小语法单位-符号或单词,如 标识符,无正负号常数与界限符等。并把源程序转换为等价的内部表示形式 2.功能: 读入源程序字符串;识别单词(符号); 转换成属性字; 一些其他的简单工作:删除注解,预加工处理

一、免疫器官 1、中枢淋巴器官(一级淋巴器官): 胸腺T细胞分化场所(T淋巴细胞前体由骨 髓提供)。 骨髓B细胞分化场所。 分化不依赖抗原,在环境因子,细胞基质成分作 用下向一定方向特化产生,属于基因重组过程,有些 细胞分化后,表现各种潜在功能

多处理器调度的设计要点之一是 如何把进程分配给处理器 假定在多处理器系统中所有的处理器都是相同的,即对 主存和IO设备的访问方式相同,那么所有的处理器可以 被作为一个处理器池(pool)来对待。我们可以采取静 态分配策略,把一个进程永久的分配给一个处理器,分 配在进程创建时执行,每个处理器对应一个低级调度队 列。这种策略调度代价较低,但容易造成在一些处理器 忙碌时另一些处理器空闲。我们也可以采取动态分配策 略,所有处理器共用一个就绪进程队列,当某一个处理 器空闲时,就选择一个就绪进程占有该处理器运行,这 样,一个进程就可以在任意时间在任意处理器上运行 对于紧密耦合的共享内存的多处理器系统来说,由于所 有处理器的现场相同,因此采用此策略时进程调度实现 较为方便,效率也较好

利用同步热跟踪原理, 提供一种测定微量气液反应热的研究方法.通过程序控制容器外壳温度与内部溶液同步升温, 减小温度梯度, 形成“热屏障”, 阻止溶液以热传导、对流、辐射的形式与外界环境进行热交换, 获得动态绝热环境, 提高微量气液反应热直接测量的精度, 减少样品用量, 无需热补偿.采用MEA (乙醇胺) 与MDEA (N-甲基二乙醇胺) 两类弱碱吸收液, 容积为15 mL, 分别在10%、20%、30%、40%和50%质量分数下, 测定吸收CO2的反应热.实验表明: 同步热跟踪法测量更为准确; 随溶液浓度的增加, MEA反应热先降低后升高, MDEA反应热逐渐降低; 在质量分数为20%~40%时, MEA、MDEA质量分数对反应热的影响不显著; 反应放热形成的升温曲线出现“下凹”现象

采用真空熔炼法, 经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析, 急冷工艺制备粉体呈非晶态, 缓冷工艺制备的粉体呈晶态, 结晶主相为R-3m空间群的As2GeTe4; 差热-热重分析显示, 升温至350℃时缓冷粉体As2GeTe4成分熔融, 400℃时两种粉体均开始快速失重, 为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失, 确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材, 将两种粉体分别升温至340℃, 加压20 MPa, 保温2 h制备出两种靶材, 其中缓冷粉体制备的靶材致密度高, 为5. 46 g·cm-3, 达混合理论密度的99. 5%, 形貌表征显示此靶材表面平整, 孔洞少, 元素分布均匀

第9章正弦稳态电路的分析 重点 1.阻抗和导纳; 2.正弦稳态电路的分析; 3.正弦稳态电路的功率分析; 4.串、并联谐振的概念;

第一节财政收入分类 第二节财政收入规模分析 第三节财政收入结构分析