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一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PNP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路
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1.网孔法(平面网络)b-n+1个变量人为地假设存在网孔电流,列写每一个网孔的KVL方程方程左边
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§3.1 场效应管 §3.2 场效应管放大电路静态工作点置计方法 §3.3 场效应管放大电路动态分析
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一、CE概述 1.经典平板电泳的最大局限: 高压电场产生的焦耳热效应,导致 电泳区带展宽,分离度降低。这种影响 还会由于电场强度的增大而迅速加剧, 极大地限制了高电压的使用,难以提高 电泳分离速度
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1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:
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5.1 集成运算放大器简介 5.2 理想集成运放及其分析特点 5.3 集成运放大器的线性应用 5.4 有源滤波电路 5.5 电压比较器
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一、电场强度 1、库仑定律:真空中点电荷之间存在一种特殊的力的作用,称为库 仑力,若有两个点电荷,电量分别为q1、q2,距离为r,力与距离平方 成反比,与电量之积成正比
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一、教学基本要求 1、了解拉普拉斯变换的定义,会用拉普拉斯变换基本性质求象函数。 2、掌握求拉普拉斯反变换的部分分式展开法,.基尔霍夫定律的运算形式、运算阻抗和运算导纳、运算电路
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一、高斯通量定理的应用 题4-1,试计算电荷面密度为的无限大平面产生的电场强度,1)利月 斯定律。2)直接计算 浑:1)、解题分析,在板的两侧电场方,向一定向外,如图4.1所示,上 大小相同 闭合面法向 闭合积分面,上下面为S
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一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路
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