§3-1 半导体的基本知识 §3-2 PN结的形成及特性 §3-3 半导体二极管 §3-4 二极管基本电路及分析方法 §3-5 特殊二极管

§3-1半导体的基本知识 §3-2 PN结的形成及特性 §3-3半导体二极管 §3-4二极管基本电路及分析方法 §3-5特殊二极管

7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 74场效应晶体管及其放大电路 7.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

1.1.1导体、绝缘体和半导体 自然界的物质,按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三类。 物质的导电能力可以用电导率或电阻率p来衡量,二者互为倒数。物质的 导电能力越强,其电导率越大,电阻率越小。 导电能力很强的物质称为导体

一、传感器概述 传感器的概念:指能感受规定的物理量,并按照一定规律转换成可用输出信 号的器件或装置。 简单的说,传感器即使把非电量转换成电量的装置。 汽车传感器的工作条件极为恶劣,因此,传感器能否精确可靠地工作至 关重要。在该领域中,理论研究及材料应用发展迅速,半导体和金属膜技术 研究及材料应用技术发展迅速,半导体和金属膜技术、陶瓷烧结技术等得到 迅猛发展

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.3 三极管单管放大电路 7.4 场效应晶体管及其放大电路 7.5 多级放大电路 7.6 差动放大电路 7.7 互补对称功率放大电路