一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

一、基本概念 1、氧化数 1970年IUPAC定义：氧化数是某元素 一个原子的荷电数，这种荷电数是把成 键电子指定给电负性较大的原子而求得

一、静电场小结 二、典型的静电问题 给定导体系中各导体的电量或电势以及各导体的形状、相对位置(统称边界条件),求空间泛电场分布,即在一定边界条件下求解定

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4.1反馈的基本概念及判断方法 4.2负反馈放大电路的一般分析方法 4.3负反馈对放大器性能的影响

2.1放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2晶体三极管的其它工作模式 2.3埃伯尔斯—莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 2.7晶体三极管的应用原理

一、单项选择(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.若要求放大电路输入电阻低,且稳定输出电流,在放大电路中应引入的负反馈类型为

一. 测定Zn-Cu电池的电动势和Cu、Zn电极的电极电势 二. 学会一些电极的制备和处理方法 三. 掌握电位差计的测量原理和正确使用方法 四. 分析测量结果和理论值的差异，并给出可能的误差来源

铝电解过程阳极气泡的生长机理、运动规律及对电解质运动的影响对电解槽的稳定运行有非常重要的作用。研究铝电解槽阳极气泡，最重要的是能够直接观察到阳极气泡的生长和运动规律。为了实现电解槽中气泡行为的可视化，目前国内外学者建立了各种模型来研究电解过程中气泡的特性，其中主要的研究模型为室温水模型、低温电解模型、高温电解模型和数值模拟模型。对这四种模型的研究现状进行了分析，展望了其发展前景