1.真空中静电场与有导体，电介质存在时的静电场比较2.静电场中导体与电介质的研究 （1）导体和电介质在静电场中引起物理现象 （2）这些现象对原电场的影响 （3）有导体和电介质存在时，静电场的计算

4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试

1.1 电子测量的基本概念 1.2 电子测量的内容、分类与特点 1.3 电子测量技术的发展历程和重要作用 1.4 本课程的任务和学习方法

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

第1章电子测量概论 第2章基本测量理论与测量数据处理 第3章电流、电压与功率测量 第4章电子元器件与集成电路测量 第5章测量用信号发生器 第6章频率与时间测量

§1 发电厂和变电所的类型 §2 发电厂电器设备概述 §3 电气设备的额定电压和额定电流（补充） §4 电力系统中性点的运行方式（补充）

一、电抗器按用途不同分为: 1 串联电抗器 2 并联电抗器

一、电介质对电场的影响 相对电容率 二、电介质的极化

6-0教学基本要求 6-1静电场中的导体 6-2静电场中的电介质 6-3电位移有介质时的高斯定理 6-4电容电容器 6-5静电场的能量和能量密度

1.1 电力工业发展概况及前景 1.2 电力系统基本概念 1.3 电气设备概述 1.4 电气设备的额定参数