实体建模（曲面）——表示整个对象的体积 特点：信息最完整，复杂的实体形较网格对象容 易构造。灵活方便但占用资源多，建筑建模 能采用Pline 就不用实体。 实体建模分三种方法：构造基本实体形、组合基 本实体成复杂实体、对实体作圆角、倒角和 其他编辑处理

MasterCAM绘图过程的几个要点 一画图前,应对所画的对象拟出一个画图步骤 及思路 一注意构图面的选择及转换构图面的操作 注意构图深度Z 一对一些绘图指令及基本操作能有个感性认识 操作过程中要注意看帮助栏与提示栏

含硼钢化学热处理时,由于C、N、B之间的相互作用,B在整个渗层范围内发生明显的再分布在渗碳层中主要表现为表层B的富集和次表层B的贫化;在碳氮共渗层中则主要表现为表层和次表层内有大量BN形成以及在很宽的范围内固溶硼量很低B的这种再分布对渗层材料的淬透性带来显著影响。在渗碳层中,除了要考虑C本身的作用和C对B效应的影响外,还要考虑次表层B贫化的影响。在碳氮共渗层中,大量BN的形成对渗透性有显著的不利影响,固溶硼贫化的作用也表现得更为突出

在真空感应炉中用H2与GH132合金液平衡的方法,得到了具有不同H含量的锭子,研究了铸锭H含量对GH132合金中温塑性的影响。结果表明,铸锭H含量不同(分别从2.0毫升/100克到19.6毫升/100克),但试棒H含量被降到同一水平(0.5毫升/100克左右)时,合金塑性相同,均不产生中温低塑性区。研完了微量pb对GH132合金中温塑性的影响,发现0.0002%的pb便急剧恶化GH132合金的中温塑性,导致中温低塑性区的产生。pb的有害作用可解释为降低晶界强度及等强温度

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

采用微波水热盐酸浸出方法对腐泥土型红土镍矿提取镍钴进行了研究,详细探讨了焙烧预处理、微波水热浸出温度和浸出时间对镍钴浸出率的影响.对于300℃焙烧预处理后的红土镍矿,微波水热温度为50℃,浸出时间为1 h时,镍的浸出率高达93.65%,钴的浸出率为87.86%.红土镍矿的微波水热浸出体系与普通水热浸出体系相比,镍和钴的浸出效果更好.研究表明,扩散过程是镍、钴浸出过程的主要限制环节

尾矿浆的沉积特性对尾矿坝的坝体结构有重要影响.为了研究尾矿浆的沉积分层特征和时间演化规律,对黏性尾矿浆和砂性尾矿浆进行一维沉降柱试验,讨论了尾矿沉积物的细观结构特征和分层划分依据,分析了沉积物形态与时间的关系,并用双电层理论解释了絮凝作用对沉积特征的影响机理.结果表明:尾矿黏粒具有颗粒细小、黏土矿物成分比例高和吸附性强的特点,在液体环境下易形成高孔隙率的絮状结构体;根据细观结构的变化,尾矿沉积层从上到下依次分为澄清区、絮凝区、沉降区和固结区;按时间划分,可以将尾矿的沉积过程分为沉降阶段和固结阶段,黏性尾矿的沉积时间大约是砂性尾矿的2倍;砂性尾矿的沉积时间主要由单颗粒的自由沉降速度决定,黏性尾矿浆的沉积过程可用分界面高度-时间的函数关系来描述.研究结果揭示了尾矿浆的沉积过程和细观结构之间的联系,为尾矿浆沉积规律的预测提供了参考

第13章网络安全 部署网络是为了使计算机对外部世界来说更容易使用。使计算机对外部更容易使用是 好坏掺半之事。可能的相互作用越多,不受欢迎的相互作用也越多。因此,你可能希望控 制自己系统上的用户怎样能够访问网络,网络上的用户怎样能访问你的系统,以及当你的 数据在网络上传输时,怎样保护传输的数据等。因此,网络安全不仅是关于密码,而且对 访问控制提出了新的要求

大气中的微生物 水体中的微生物 土壤中的微生物 极端环境中的微生物 环境污染物：排入大气、水域和土壤，引起环境污染、对人和环境有不利影响的物质 无毒有机物：纤维素、淀粉、蛋白质、脂类 有毒有机物：苯酚、多环芳烃、多氯联苯、有机农药等 无毒无机物：酸、碱、无机盐、氮、磷等 有毒无机物：各类重金属、氰化物、氟化物 微生物对废水的处理 废渣的生物处理 废气的生物处理

一、问答题 1． 加工中心有哪些工艺特点？适合加工中心加工的对象有哪些？ 2． 选用加工中心应注意哪几个方面？ 3． 加工中心对夹具有哪些要求？ 4． 在加工中心上钻孔，为什么通常要安排锪平面（对毛坯面）和钻中