本章介绍利用独立电流或独立电压作变量来建立电路方程的分析方法，可以减少联立求解方程的数目，适合于求解稍微复杂一点的线性电阻电路，是“笔”算求解线性电阻电路最常用的分析方法

• 对数运算电路 • 反对数运算电路

8.1基本运算电路 8.2对数和反对数运算电路 8.3有源滤波电路

段码显示驱动模式 同时点亮七段显示器的七节LED，将需电流： 10mA×7＝70mA 若同时点亮6个七段显示器，则总电流高达： 70mA×6＝420mA≈0.5A

一、在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。 (1)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。() (2)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。()

8.1 基本运算电路（重点） 8.2 实际运放电路的误差分析（只讲1例） 8.3 对数和反对数运算电路× *8.4 模拟乘法器× 8.5 有源滤波电路（概念、一阶）

1. 分析： 2. 特点： (1)共性：开关支路电流与权成正比，电流相加 (2)不同：产生支路电流的方法不同；

一、在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。 (1)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。() (2)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。() (3)若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。()

一、比例运算放大电路 二、加法、减法运算电路 三、对数、指数和乘、除运算电路 四、微分积分运算电路 五、常用特征值运算电路

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂